具有高增益的AlGaN日盲紫外雪崩光电二极管

来源 :光学精密工程 | 被引量 : 0次 | 上传用户：xxfei23

【摘要】

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本文设计了一种具有低Al组分p型渐变AlxGa1-xN层和高/低Al组分AlGaN倍增层的背入射式p-i-n-i-n吸收倍增区分离的特殊AlGaN日盲紫外雪崩光电二极管(Avalanche Photodiode,APD)

【作者】

：

代志诚谷燕张秀梅陆乃彦杨国锋

【机构】

：

江南大学理学院

【出处】

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光学精密工程

【发表日期】

：

2020年12期

【关键词】

：

光电器件雪崩光电二极管 ALGAN 极化电场分布式布拉格反射器 optoelectronic device Avalanche Photodiode(APD

【基金项目】

：

国家自然科学基金资助项目(No.61974056,No.11604124),江苏省自然科学基金资助项目(No.BK20190576),无锡市科技发展基金社会发展项目(No.N20191002),江苏省研究生科研与实践创新项目(No.KYCY20_1769),江苏省高等学校大学生创新训练计划项目(No.202010295125Y)

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本文设计了一种具有低Al组分p型渐变AlxGa1-xN层和高/低Al组分AlGaN倍增层的背入射式p-i-n-i-n吸收倍增区分离的特殊AlGaN日盲紫外雪崩光电二极管(Avalanche Photodiode,APD),并插入AlN/Al0.64Ga0.36N分布式布拉格反射器来改善APD的日盲响应。为了在实验条件下生长出特殊设计的AlGaN APD,用Atlas-Silvaco仿真软件对该器件结构进行仿真,并用常规结构APD作为参照。研究结果表明,特殊设计的APD比常规的APD表现出更好的光电特性。由

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