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用Ｘ射线漫散射研究了中子辐照ＧａＡｓ中的缺陷，结果表明：中子辐照产生点缺陷团，辐照剂量为１０＾１９ｍ＾－２和１０＾２１ｍ＾－２时，缺陷团的平均半径分别为３８７ｎｍ和４５５ｎｍ，这可能高剂量辐照下损伤区域交叠的结果，平均半径随退火温度的升高而减小是间隙原子与空位复合造成的。
中子辐照GaAs的X射线漫散射研究
【摘 要】
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用Ｘ射线漫散射研究了中子辐照ＧａＡｓ中的缺陷，结果表明：中子辐照产生点缺陷团，辐照剂量为１０＾１９ｍ＾－２和１０＾２１ｍ＾－２时，缺陷团的平均半径分别为３８７ｎｍ和４５５ｎｍ，这可能高剂量辐照下损伤区域交叠的结果，平均半径随退火温度的升高
【机 构】
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北京科技大学,北京科技大学
【出 处】
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材料研究学报
【发表日期】
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1999年1期
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