【摘 要】
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作为集成电路(ICs)的基础材料,直拉硅(CZ-Si)单晶的机械强度不仅是硅片加工和ICs制造过程中工艺参数设定的重要考虑因素,而且在很大程度上决定了ICs芯片在测试和封装过程中出
【基金项目】
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国家自然科学基金(批准号:61674126,51532007,61721005)资助的课题。
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作为集成电路(ICs)的基础材料,直拉硅(CZ-Si)单晶的机械强度不仅是硅片加工和ICs制造过程中工艺参数设定的重要考虑因素,而且在很大程度上决定了ICs芯片在测试和封装过程中出现的失效情况.目前,ICs的器件特征尺寸仍在继续减小,由此带来的器件集成规模的增长会导致硅衬底中应力水平的提高,从而使位错更易产生.因此,改善直拉硅片的机械强度对于提高ICs的制造成品率具有重要意义.本文提出在直拉硅单晶中同时掺入锗和氮两种杂质来改善硅片机械强度的思路.基于此,对比研究了普通的、单一掺锗的、单一掺氮的、锗和氮共掺
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