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[期刊论文] 作者：倪如山,,
来源：电子显微学报 年份：1983
本文用透射电子显微镜观察了SiO_2/Si衬底上化学金相沉积多晶硅层经硼离子注入,再由Q-Nd∶YAG激光或二氧化碳激光或热处理退火后晶粒的变化。激光退火多晶硅的晶粒可由500A长...
[期刊论文] 作者：倪如山,,
来源：电子显微学报 年份：1984
近年来在硅单晶上热生长厚度约为1微米的二氧化硅绝缘层,然后在其上低压化学汽相沉积厚度为0.5微米的多晶硅膜,经连续Ar~+激光再结晶,使多晶硅晶粒长大,晶粒尺寸从原来的0.0...
[期刊论文] 作者：倪如山,朱文化,
来源：分析测试学报 年份：1994
以分子束外延技术在ＳＩＭＯＸ衬底上生长Ｓｉ／Ｇｅ０．５Ｓｉ０．５应变层超晶格。用剖面电子显微学对超晶格膜的结构进行分析。实验结果表明，Ｓｉ／Ｇｅ０．５Ｓｉ０．５应变层超晶格能成功地生长在ＳＩＭＯＸ衬底上。由于Ｓｉ／Ｇｅ０．５Ｓｉ０．５膜与ＳＩＭＯＸ衬底之间的晶格失配，引起......
[期刊论文] 作者：倪如山,朱文化,
来源：电子显微学报 年份：1993
氧注入隔离(SIMOX:Separation by IMplanted OXygen)是绝缘层上形成单晶硅(SOI:Silicon onInsulator)结构的最有前途的技术。制备工艺简单,可获得绝缘层上高质量的单晶...
[期刊论文] 作者：倪如山,朱文化,
来源：电子显微学报 年份：1992
借助剖面电子显微学(TEM)和离子背散射沟道技术研究了SIMOX衬底上分子束外延生长的Si/Ge_(0.5)SI_(0.5)应变层超晶格薄膜。实验结果表明Si/Ge_(0.5)Si_(0.5)应变层超晶...
[期刊论文] 作者：倪如山,赵国安,,
来源：国外科学仪器 年份：1988
经国家批准,通过东方科学仪器进出口公司从日本电子公司(JEOL)引进的400kV 高压电子显微镜,于1986年9月17日在中国科学院上海冶金研究所安装竣工。现将其基础结构,主要性能...
[期刊论文] 作者：倪如山,林成鲁,,
来源：电子显微学报 年份：1990
近几年来,SOI(silicon on Insulator)材料因用于制备抗辐照、高速CMOS电路及三维集成电路等受到人们越来越多的关注。在各种SOI技术中,离子注入形成SOI材料有其独到的优...
[期刊论文] 作者：倪如山,王连卫,
来源：电子显微学报 年份：1996
β－ＦｅＳｉ２薄膜的反应沉积外延膜的剖面结构分析倪如山王连卫沈勤我林成鲁（中国科学院上海冶金研究所，上海２０００５０）由于β－ＦｅＳｉ２具有Ｅｇ＝０．８５０．８７ｅＶ的直接带隙，并能在硅表面外延，被认为是一种潜在的光电子材料，为实现光......
[期刊论文] 作者：林成鲁,倪如山,邹世昌,
来源：电子科学学刊：英文版 年份：1990
The physical and electrical properties of BF2+ implanted polysilicon films subjectedto rapid thermal annealing（RTA）are presented.It is found...
[期刊论文] 作者：林成鲁,倪如山,邹世昌,,
来源：Journal of Electronics(China) 年份：1990
The physical and electrical properties of BF_2~+ implanted polysilicon films subjectedto rapid thermal annealing(RTA)are presented.It is found that the out dif...
[期刊论文] 作者：倪如山,朱文化,林成鲁,
来源：分析测试学报 年份：1994
以分子束外延技术在ＳＩＭＯＸ衬底上生长Ｓｉ／Ｇｅ_（０．５）Ｓｉ_（０．５）应变层超晶格。用剖面电子显微学（ＸＴＥＭ）对超晶格膜的结构进行分析。实验结果表明，Ｓｉ／Ｇｅ_（０．５）Ｓｉ_（０．５）应变层超晶格能成功地生长在ＳＩＭＯＸ衬底上。由于Ｓｉ／Ｇｅ_（０．５）Ｓｉ_（０．５）膜与ＳＩＭＯＸ衬底之间的晶格失......
[期刊论文] 作者：邹世昌,倪如山,张祖华,
来源：半导体学报 年份：1985
本文用沟道背散射技术和透射电镜观察研究室温高剂量硼注入硅的退火行为和残余缺陷.实验结果表明一步退火法不能完全消除注入引起的辐射损伤,在外延层中同时存在位错环和直接...
[期刊论文] 作者：林成鲁,倪如山,邹世昌,
来源：电子科学学刊 年份：1989
本文报道BF_2~+注入的多晶硅薄膜经快速热退火后的物理和电学性质。发现造成氟异常分布的原因是由于快速热退火过程中氟的外扩散以及在多晶硅/二氧化硅界面处的聚集。在注入...
[期刊论文] 作者：倪如山,朱文化,林成鲁,,
来源：电子显微学报 年份：1992
借助剖面电子显微学(TEM)和离子背散射沟道技术研究了SIMOX衬底上分子束外延生长的Si/Ge_(0.5)SI_(0.5)应变层超晶格薄膜。实验结果表明Si/Ge_(0.5)Si_(0.5)应变层超晶格能...
[期刊论文] 作者：倪如山,朱文化,林成鲁,,
来源：电子显微学报 年份：1993
氧注入隔离(SIMOX:Separation by IMplanted OXygen)是绝缘层上形成单晶硅(SOI:Silicon onInsulator)结构的最有前途的技术。制备工艺简单,可获得绝缘层上高质量的单晶硅膜...
[期刊论文] 作者：倪如山,王连卫,沈勤我,林成鲁,
来源：电子显微学报 年份：1996
β－ＦｅＳｉ２薄膜的反应沉积外延膜的剖面结构分析倪如山王连卫沈勤我林成鲁（中国科学院上海冶金研究所，上海２０００５０）由于β－ＦｅＳｉ２具有Ｅｇ＝０．８５０．８７ｅＶ的直接带隙，并能在硅表面外延，被认为是一种潜在的光电子材料，为实现光......
[期刊论文] 作者：杨平雄,郑立荣,倪如山,林成鲁,
来源：功能材料与器件学报 年份：1997
用ＰＬＤ方法成功地制备了ＳＢＴ铁电薄膜，并制作成Ｐｔ／ＳＢＴ／Ｐｔ薄膜电容器。ＳＢＴ薄膜的晶面取向以（００８）和（１１５）为主。在５Ｖ电压下，极化反转，并且得到较饱和的电滞回线，剩余极化强度和矫顽电场分别为８４μＣ／ｃｍ２和５７ｋｖ／ｃｍ。ＩＶ特性测试显示......
[期刊论文] 作者：林成鲁,周祖尧,竺士炀,林梓鑫,倪如山,
来源：微电子学 年份：1996
综述了离子束科学技术领域新的重要进展──从作为半导体掺杂手段的低剂量（１０１１～１０１６／ｃｍ２）离子注入到高剂量（１０１７～１０１８／ｃｍ２）离子注入合成新材料的离子束合成技术。讨论了高剂量注入的物理效应，介绍了利用高剂......
[期刊论文] 作者：王济身,徐静芳,陈建武,邹世昌,林成鲁,倪如山,,
来源：电子学报 年份：1984
本文测量了硼离子注入多晶硅薄膜经热退火及激光退火后的电学性质,并用晶界陷阱模型进行了理论计算。计算结果与实验符合。发现经激光退火后,晶粒变得足够大时迁移率最小值发...
[期刊论文] 作者：柳襄怀,周佩德,王志杰,倪如山,邹世昌,田薇,,
来源：中国腐蚀与防护学报 年份：1985
采用电化学和光电子技术,研究了N~+离子束轰击对Fe/Cr、Fe/Al系在水溶液巾腐蚀行为的影响。分别用真空沉积和离子溅射技术在纯铁上沉积Cr(400(?))或Al(800(?)),然后经N~+离子...
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