搜索筛选:
搜索耗时4.0847秒,为你在为你在102,285,761篇论文里面共找到 10 篇相符的论文内容
发布年度:
[期刊论文] 作者：张建民,傅新定,,
来源：表面技术 年份：1989
本文用能量为600eV、束流密度为0.5mA·cm-2垂直入射的氩离子束对半导体单晶硅上不同宽度的沟槽（15μm、10μm、5μm）进行了不同时间的离子束蚀刻,发现在槽底靠...
[期刊论文] 作者：傅新定,方红丽,
来源：核技术 年份：1989
应用离子束刻蚀技术,首先确定金膜的刻蚀速率并研究台阶倾角与刻蚀参数之间的关系。最终微细加工出菲涅耳金环和多针孔金箔,分别成功地用于激光等离子体空间分布测量和激光核...
[期刊论文] 作者：傅新定,方红丽,
来源：应用科学学报 年份：1989
一、引言反应离子束刻蚀是在离子束刻蚀基础上发展起来的具有广泛应用前景的微细加工技术.近年来,已被用来制作全息闪耀光栅.二、实用全息闪耀光栅反应离子束刻蚀全息闪...
[期刊论文] 作者：陈国明,傅新定,任琮欣,,
来源：电子技术 年份：1980
离子束溅射刻蚀、离子刻蚀、离子铣以及离子磨削等实属同一概念。离子束能刻蚀任何材料并能加工精细的几何图形。其刻蚀精度仅取决于光刻的水平及其掩膜的性质。目前,离子束...
[期刊论文] 作者：傅新定, 任琮欣, 陈国明, 方红丽, 杨洁,,
来源：微电子学与计算机 年份：2004
回 回 产卜爹仇贱回——回 日E回。”。回祖 一回“。回干 肉果幻中 N_。NH lP7-ewwe--一”＄ MN。W;- __._——————》 砧叫]们羽 制作:陈恬’＃陈川个美食Back to yield...
[期刊论文] 作者：任琮欣,傅新定,陈国明,杨洁,方红丽,,
来源：微电子学与计算机 年份：1981
当离子束以一定的入射角刻蚀旋转的样品时,掩膜间样品的刻蚀速率(指间隙d与掩膜厚度T_m的比值在适当的范围内时),由于掩膜对离子束的荫蔽作用而明显减少。本文对此进行了理论...
[期刊论文] 作者：任琮欣,陈国明,傅新定,杨洁,方红丽,邹世昌,,
来源：真空科学与技术 年份：1985
如300～1200eV低能氩离子束以45°入射角溅射锗、硅、玻璃等七种样品的抛光表面,则样品表面都出现均匀分布的小丘。考察了离子入射角、能量、剂量、靶子旋转与否对貌相的影响。...
[期刊论文] 作者：傅新定,陈国明,任琮欣,郑廷芳,陈莉芝,方红丽,杨洁,
来源：半导体学报 年份：1985
应用CF_4、C_4F_8、CF_3I等反应气体SiO_2、单晶硅进行刻蚀研究.研究了刻蚀速率与离子能量、束流密度、入射角的关系、所得 SiO_2对单晶硅刻蚀选择比分别为 9:1(CF_4)、15:1(...
[期刊论文] 作者：傅新定,郑延芳,陈莉芝,任琮欣,蔡雪强,曲志敏,徐英明,李美月,
来源：光学学报 年份：1985
本文报道以无透镜傅里叶全息术变换记录的全息光栅作掩膜,应用反应离子束入射角控制光栅闪耀角,选择了合适刻蚀工艺参数,制得衍射效率为67%的SiO2全息闪耀光栅。...
[期刊论文] 作者：周祖尧,任琮欣,陈国明,胡嘉增,杨洁,傅新定,邹世昌,朱德彰,曹德新,
来源：核技术 年份：1986
本文应用背散射沟道技术研究了低能离子轰击不同晶向表面所引起的晶格损伤与离子能量、剂量的关系,讨论了损伤形成的动力学过程。In this paper, we studied the relations...
相关搜索：
