搜索筛选:
搜索耗时0.1040秒,为你在为你在102,285,761篇论文里面共找到 15 篇相符的论文内容
发布年度:
[学位论文] 作者：冯文楠,,
来源：哈尔滨工业大学 年份：2004
先秦儒家礼乐文化是中华文明历史上最为灿烂和辉煌的文化,是中华文明的源起之所在。我国的礼仪传统以及风尚习俗无不受儒家礼乐文化的影响,在礼与乐的紧密结合下,不仅使人们...
[学位论文] 作者：冯文楠,
来源：北京航空航天大学 年份：2001
论文着重介绍了ZQD021芯片内部核心模块——POCSAG解码单元的设计和测试.为提高芯片的接收灵敏度,利用了积分型数字锁相环来完成码流的位同步提取.采用查找表结构简化内部BCH...
[学位论文] 作者：冯文楠,
来源：北京大学 年份：2004
锁相环作为提供时间基准和频率基准的一个重要模块，是先进的专用集成芯片(ASIC)和系统芯片(System-on-Chip)中必不可少的组成部分，其性能对对整个系统性能有着重大的影响。已经...
[期刊论文] 作者：郝严,冯文楠,
来源：电子世界 年份：2018
提出了一种面向OFDM（Orthogonal Frequency Division Multiplexing,正交频分复用技术）系统物理层关键算法逻辑设计功能的联合仿真验证平台。...
[期刊论文] 作者：冯文楠,夏宇闻,,
来源：中国集成电路 年份：2002
本文通过一个实例,简要地介绍了我们怎样利用MATLAB Simulink这一通用的数学工具软件包,把描述硬件逻辑电路行为或结构的Verilog模块,通过Verilog PLI(编程语言接口),融合到...
[期刊论文] 作者：冯文楠,刘凌,陈中建,吉利久,
来源：北京大学学报：自然科学版 年份：2004
提出了一种全新的电荷泵锁相环的行为级建模方法。采用多层模型，能根据需要在仿真的精度和速度间进行权衡，在可独立配置的不同层次中描述锁相环系统的理想行为和非理想行为。与......
[期刊论文] 作者：冯文楠,刘凌,陈中建,吉利久,
来源：北京大学学报(自然科学版) 年份：2004
提出了一种全新的电荷泵锁相环的行为级建模方法。采用多层模型 ,能根据需要在仿真的精度和速度间进行权衡 ,在可独立配置的不同层次中描述锁相环系统的理想行为和非理想行为...
[期刊论文] 作者：刘凌, 冯文楠, 王迎春, 蒋安平, 吉利久,,
来源：中国集成电路 年份：2008
汇编器在微处理器的验证和应用中举足轻重,如何设计通用的汇编器一直是研究的热点之一。本文提出了一种开放式的汇编器系统设计思想,在汇编语言与机器语言间插入中间代码CMDL...
[期刊论文] 作者：郝燚, 冯文楠, 冯曦, 胡毅, 唐晓柯,,
来源：电子技术与软件工程 年份：2019
本文提出和实现了一种基于通用验证方法学(Universal Verification Methodology,UVM)的单线协议(SingleWire Protocol,SWP)接口模块验证方法。通过此验证方法实现的验证环境...
[期刊论文] 作者：郝燚,冯文楠,冯曦,胡毅,唐晓柯,
来源：电子技术与软件工程 年份：2019
...
[期刊论文] 作者：张冉,高雪莲,冯曦,冯文楠,胡毅,唐晓柯,,
来源：电脑知识与技术 年份：2019
实时数据库是DCS系统的关键组成部分,实时数据库内核相当于一个数据处理中心,起到数据交换区的作用。实时数据库内核维护系统调用时产生的动态数据和系统所需的各种内部信息,保证实时数据的完整性、实时性以及时间一致性;集成测试是测试过程中的一个重要环节,集......
[期刊论文] 作者：李萌,冯文楠,郝先人,冯曦,胡毅,唐晓柯,
来源：信息技术 年份：2023
射频识别电子标签（RFID）芯片具有命令多、状态多、Memory容量大、分区多等特点，这些特点增加了芯片仿真验证的工作量和难度。为了解决Verilog语言搭建的传统电子标签验证平台测试例数量众多和验证场景不全面的问题，基于通用验证方法学（UVM）搭建了一套随机化可重用的电......
[期刊论文] 作者：段丽莹,胡毅,郝燚,甘杰,冯文楠,唐晓柯,
来源：电子世界 年份：2021
随着系统级芯片(System on Chip,SoC)中输入/输出(I/O)接口数量和复用功能的不断增加,I/O复用电路的验证变得越来越复杂,并且需要耗费大量时间。本文针对I/O复用电路的特点,...
[期刊论文] 作者：魏子魁,胡毅,金鑫,李振国,冯文楠,冯曦,唐晓柯,,
来源：电子与信息学报 年份：2020
通过对一种低功耗高噪声源真随机数发生器(TRNG)的研究,设计了一种新型的低频时钟电路,可以把电阻热噪声放大100倍以上,从而减少低频时钟电路的带宽和电阻值,使电路的面积和功耗减少,并且使低频时钟的jitter到达58.2 ns。电路采用SMIC 40 nm CMOS工艺设计,完成......
[期刊论文] 作者：刘兴,胡毅,马永旺,李振国,冯曦,冯文楠,唐晓柯,
来源：微电子学 年份：2020
提出了一种快瞬态响应、宽输入电压范围、无片外电容的低压差线性稳压器(LDO),应用于给主控(MCU)芯片中的Flash供电.该稳压器基于超级源跟随器结构,由快慢两个通路构成.采用...
相关搜索：
