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[期刊论文] 作者：吴益良,
来源：半导体技术 年份：1991
本文综述了国外近几年来在门极可关断晶闸管(GTO)器件技术方面的最新研究进展和发展方向。系统地介绍了国外为了进一步提高GTO器件的电流、电压容量及实现GTO的高频化而作出...
[期刊论文] 作者：吴益良,
来源：职业教育研究 年份：2005
信息技术对教育产生了巨大影响,特别是在电视机教学中更是一种必不可少的工具.信息技术可以弥补电视机教材之不足,可以弥补教法之缺陷,可以开发学生之潜能....
[期刊论文] 作者：吴益良,,
来源：中国招标 年份：1999
机电设备引进采用国际公开招标方式在我国经过十年的实践,作为一种与社会主义市场经济相适应的先进的采购方式,已为越来越多的企事业单位所认识和采用。国家和各级政府也正在...
[期刊论文] 作者：吴益良,,
来源：江苏政协 年份：2007
在浩瀚的南海之滨,与香港隔海相望的广东大亚湾畔,有一处被称作“岭澳38米参观平台”的地方。站在依山而建、被绿树草坪花亭点缀着的平台上,On the banks of the vast Sout...
[期刊论文] 作者：吴益良,,
来源：江苏政协 年份：2008
戴康福1958年生,溧阳市政协委员,溧阳市恒通建筑安装工程有限公司董事长,江苏省建筑业优秀企业家,省建筑系统劳动模范,常州市劳动模范。自1996年起,他带领公司团队走出国门,...
[会议论文] 作者：吴益良,向群,
来源：中国电工技术学会光伏发电技术研讨会 年份：1990
...
[期刊论文] 作者：王正仕,吴益良,
来源：电力电子技术 年份：1996
根据器件及其应用情况，介绍了ＩＧＢＴ过流保护的特点；提出了综合保护方法；进行了过流保护试验，并给出了实验波形。结果表明，ＩＧＢＴ在其额定容量的３倍过流情况下得到了可靠保护。文中还叙述了过流......
[期刊论文] 作者：吴益良,陆鸿飞,
来源：唯实 年份：1995
农村市场经济的逐步建立和发展,使农民第一次以独立的经营主体出现在市场经济的舞台上。在新形势下,农民的价值观念、思维方式、生产方式和行为方式正发生着变化。必须引导教...
[期刊论文] 作者：陈辉明,吴益良,
来源：半导体技术 年份：1995
将硼微晶玻璃源均匀扩散条件及浓度控制方法用于ＲＣＧＴＯｐ基区扩散，研制成功２００Ａ／１０００ＶＲＣＧＴＯ。...
[期刊论文] 作者：陈辉明,吴益良,
来源：半导体技术 年份：1991
研究表面,用片状硼微晶玻璃扩散源在一定的条件下也能形成B-Sis相层,并且只有在预沉积时形成B-Si相层且去掉这一相层进行主扩,才能获得高均匀性硼掺杂。本文研究了不同的工艺...
[期刊论文] 作者：吴益良,陈国珍,,
来源：江苏政协 年份：2007
从一名下岗女工到全市唯一一位销售超亿元的女企业家,从年生产力不到50吨的纤维纱线小厂到世界知名品牌服饰优质纱线原料定点供应基地,From a laid-off women to the city...
[期刊论文] 作者：吴益良,施春俊,,
来源：江苏政协 年份：2006
一、“农家乐”旅游的发展现状近年来,溧阳市充分利用天目湖品牌效应,大力挖掘山水资源优势,并结合农业产业结构调整,全市有不少乡村和农户以良好的自然资源和农业开发成果...
[期刊论文] 作者：吴益良,张淑芬,
来源：经济工作通讯 年份：1997
今年3至4月，浙江省机电设备招标局受杭州西子集团公司委托，就其出口电度表零部件生产协作厂家的定点进行了公开招标。来自浙江、江苏和上海的160多家不同类型的企业购取了标书，......
[期刊论文] 作者：吴益良,陈辉明,向群,
来源：半导体技术 年份：1994
本文介绍我们研制成功的２００Ａ／１６０Ａ，１０００Ｖ大功率ＲＣＧＴＯ结构设计。主要内容包括门阴极结构、电隔离结构和阴极平面配置。This article describes our successful development of 200A / 160A, 1000......
[期刊论文] 作者：陈辉明,吴益良,向群,
来源：半导体技术 年份：1991
研究表面,用片状硼微晶玻璃扩散源在一定的条件下也能形成B-Sis相层,并且只有在预沉积时形成B-Si相层且去掉这一相层进行主扩,才能获得高均匀性硼掺杂。本文研究了不同的工艺...
[期刊论文] 作者：陈辉明,吴益良,向群,
来源：半导体技术 年份：1995
将硼微晶玻璃源均匀扩散条件及浓度控制方法用于ＲＣＧＴＯｐ基区扩散，研制成功２００Ａ／１０００ＶＲＣＧＴＯ。The boron glass-ceramic source uniform diffusion conditions and concentration control method for......
[期刊论文] 作者：王正仕,吴益良,向群,陈辉明,
来源：电力电子技术 年份：1996
根据器件及其应用情况．介绍了ＩＧＢＴ过流保护的特点；提出了综合保护方法；进行了过流保护试验，并给出了实验波形．结果表明，ＩＧＢＴ在其额定容量的３倍过流情况下得到了可靠保护．文中还叙述了过流保护......
[期刊论文] 作者：王正仕,陈辉明,吴益良,向群,
来源：浙江大学学报(自然科学版) 年份：1997
介绍了ＩＧＢＴ过流的特点和过流保护的特殊问题，给出了过流保护的方法和综合保护的方案，并进行了试验，还介绍了过流保护中的抗干扰措施The characteristics of IGBT overcurrent and...
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