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[期刊论文] 作者：周旗钢,
来源：中国集成电路 年份：2005
信息产业已成为现代经济的先导产业,以集成电路为核心的电子元器件是信息产业的基础,硅片是集成电路最主要的基础功能材料,在信息产业发展中占有重要的地位和作用。目前世界...
[期刊论文] 作者：周旗钢,
来源：中国集成电路 年份：2005
信息产业已成为现代经济的先导产业，以集成电路为核心的电子元器件是信息产业的基础，硅片是集成电路最主要的基础功能材料，在信息产业发展中占有重要的地位和作用。目前世界半导......
[期刊论文] 作者：周旗钢,
来源：电子工业专用设备 年份：2005
综合评述了300mm硅材料在晶体生长、硅片成形、表面质量控制、衬底优化以及表征等方面的研究现状和发展趋势,特别是国内在300mm硅技术研究中所获得的一些成果....
[会议论文] 作者：周旗钢,,
来源： 年份：2004
信息产业已成为现代经济的先导产业,以集成电路为核心的电子元器件是信息产业的基础,硅片是集成电路最主要的基础功能材料,在信息产业发展中占有重要的地位和作用。目前...
[期刊论文] 作者：周旗钢,,
来源：中国集成电路 年份：2006
一、国内外硅材料市场2005年全球半导体市场呈现上半年疲软下半年较好的发展势头。根据WSTS资料，市场总销额达2270亿美元，比2004年的2130亿美元增加6．6％。2005年全球半导体市场各...
[会议论文] 作者：周旗钢,
来源：第九届中国国际半导体博览会暨高峰论坛 年份：2011
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[会议论文] 作者：冯泉林, 王敬, 周旗钢,,
来源： 年份：2004
ue＊M＃’＃dkB4＃＃8＃”专利申请号:00109“7公开号:1278062申请日:00.06.23公开日:00.12.27申请人地址:（100084川C京市海淀区清华园申请人:清华大学发明人:隋森芳文摘:本发明属于生物技...
[期刊论文] 作者：库黎明,王敬,周旗钢,,
来源：半导体学报 年份：2006
利用原子力显微镜研究了预氧化清洗工艺对清洗后的硅片表面微粗糙的影响,并通过建立表面氧化过程的分子模型和氧化层模型来进行相应的机理分析.结果表明,硅片表面在含有氧化...
[期刊论文] 作者：韩海建,周旗钢,戴小林,,
来源：稀有金属 年份：2009
采用直拉法生长普通和掺氮硅单晶，研究不同含氮浓度的晶体中氧化诱生层错（OSF）的行为。从4组晶体的相同位置取样，并对样品进行1100℃湿氧氧化实验。实验结果表明，随着晶体中氮浓度......
[期刊论文] 作者：冯泉林,何自强,常青,周旗钢,
来源：半导体学报 年份：2008
研究了N2和N2／NH3混合气两种不同气氛快速退火处理硅片对洁净区和氧沉淀分布的影响．研究发现：N2／NH3混合气氛处理的硅片在后序热处理中表层形成很薄的洁净区同时体内形成高密度的......
[期刊论文] 作者：柳伟达,周旗钢,何自强,,
来源：半导体技术 年份：2010
利用应用材料公司外延设备,在Si(001)衬底上,通过RPCVD方式生长出完全应变、无位错的SiGe外延层。通过X射线衍射和原子力显微镜测试技术,得到了外延层Ge摩尔分数、外延层厚度...
[会议论文] 作者：黄栋栋,曲翔,周旗钢,
来源：2014`全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会暨第七届中国微纳电子技术交流与学术研讨会 年份：2014
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[期刊论文] 作者：冯泉林,何自强,常青,周旗钢,,
来源：半导体学报 年份：2008
研究了N2和N2/NH3混合气两种不同气氛快速退火处理硅片对洁净区和氧沉淀分布的影响.研究发现:N2/NH3混合气氛处理的硅片在后序热处理中表层形成很薄的洁净区同时体内形成高密...
[会议论文] 作者：冯泉林,刘斌,肖清华,周旗钢,
来源：中国有色金属学会第六届学术年会 年份：2005
本文使用N2、Ar气体作为快速退火(RapidTherma1Annealing)处理气氛,研究气氛对洁净区和氧沉淀形成的影响.调查表明在N2、Ar两种气氛下,延长恒温时间都可以降低洁净区厚度、增加氧沉淀密度.但是与Ar气氛相比,N2气氛更有利于获得较薄的洁净区和高密度的氧沉淀.另......
[期刊论文] 作者：高宇,周旗钢,戴小林,肖清华,,
来源：稀有金属 年份：2007
采用有限体积元法软件CrysVUn对直拉法生长300mm硅单晶热场和热应力分布进行了模拟，模拟考虑了热传导、辐射、气体和熔体对流、热弹性应力等物理现象。针对晶体生长过程中小形...
[期刊论文] 作者：籍小兵,周旗钢,刘斌,徐继平,,
来源：稀有金属 年份：2008
研究了在不同温度下生长多晶硅吸杂薄膜，薄膜应力对硅单晶抛光片翘曲参数的影响，并对所得的多晶硅薄膜结构进行扫描电镜观察。实验结果表明，随着沉积温度的不断升高，多晶硅晶粒不......
[期刊论文] 作者：高宇,周旗钢,戴小林,肖清华,,
来源：人工晶体学报 年份：2007
本文采用有限体积元法软件CrysVUn对直拉法生长直径300mm硅单晶热场和热应力分布进行了模拟。后继加热器通过补充晶体径向的热散失,使得沿生长界面径向的由熔体向晶体的热输...
[期刊论文] 作者：周旗钢,李东培,符子扬,,
来源：新材料产业 年份：2011
材料是人类赖以生存的物质基础，每一种材料的发现和使用，都会把人类支配和改造自然的能力提高到一个新的水平，近代史上出现的2次工业革命都与新材料发展有着密不可分的联系。新......
[期刊论文] 作者：陈海滨,周旗钢,万关良,肖清华,,
来源：稀有金属 年份：2007
分析了硅片双面磨削的运动轨迹,并给出了砂轮上P点相对于硅片的运动轨迹。还对砂轮运动轨迹进行了模拟。得出以下结论：砂轮上P点在硅片上的运动轨迹仅与它们的相对转速比I有关......
[期刊论文] 作者：韩海建,周旗钢,戴小林,肖清华,,
来源：稀有金属 年份：2007
采用直拉法生长普通硅单晶和掺氮硅单晶,研究两种晶体中空位型原生缺陷（voids）和氧化诱生层错（OSFs）的行为。从两种晶体的相同位置取样,并对样品进行Secco腐蚀、1100℃湿氧氧化和......
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