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研究了N2和N2／NH3混合气两种不同气氛快速退火处理硅片对洁净区和氧沉淀分布的影响．研究发现：N2／NH3混合气氛处理的硅片在后序热处理中表层形成很薄的洁净区同时体内形成高密度的氧沉淀；而N2气氛处理的硅片的洁净区较厚、氧沉淀密度较低．但是两种气氛下延长恒温时间都可以降低洁净区厚度，增加氧沉淀密度．X射线光电子能谱和原子力显微镜扫描的结果显示N2／NH3混合气氛处理使表面出现了强烈的氮化反应，利用氮化反应可以解释快速退火气氛对洁净区分布的影响．