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[期刊论文] 作者：孙伯康,曾沂,
来源：德育信息 年份：2000
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[期刊论文] 作者：孙伯康,曾沂,
来源：德育信息 年份：2000
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[期刊论文] 作者：陈廷杰, 孙伯康,,
来源：物理 年份：2004
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[期刊论文] 作者：汤余健,孙伯康,
来源：职教通讯 年份：2001
一、综合高中的内涵及特征1.综合高中的内涵综合高中是融普、职教教学内容、培养目标于一体,提供多元课程,辅导学生根据能力、性向、兴趣选修适性课程,兼顾学生升学与就业,采...
[期刊论文] 作者：孙伯康,宋春英,张泽华,
来源：稀有金属 年份：1981
本文提出了一种测定硅中氧和碳含量的新方法,即厚度失配的样品参比法。我们引入了有效晶格吸收系数αL*,导出了采用基线法计算αL*和杂质吸收系数αi的统一公式。我们得到110...
[期刊论文] 作者：许振嘉,张泽华,孙伯康,
来源：半导体学报 年份：2004
利用中子活化法作定标,建立了用红外吸收法测量半绝缘GaAs中Cr浓度的定标曲线,并讨论了该曲线的应用范围.Using neutron activation method for calibration, a calibratio...
[期刊论文] 作者：孙伯康,张泽华,宋春英,许振嘉,,
来源：稀有金属 年份：2004
本文研究了用Li饱和补偿的掺Si-GaAs的局域振动模(LVM)吸收,讨论了所观察到的LVM吸收带的由来,特别是将其中位于393.4cm(-1)和388.6cm(-1)处的两个吸收带试验性地归因于~(29)...
[期刊论文] 作者：许振嘉,江德生,宋春英,孙伯康,刘江夏,
来源：半导体学报 年份：1981
本文提出了一种利用差示光谱测定硅中氧、碳含量的方法.对于该方法的误差进行了讨论....
[期刊论文] 作者：许振嘉,孙伯康,王万年,张泽华,刘江夏,何广平,
来源：电子学报 年份：1983
本文继续研究了LSI常用的p型CZ硅单晶经700℃热处理后产生的新施主。在n型样品中,同样观察到新施主,其性质与p型的相同,但生成率和浓度较p型的低。新施主与热施主有密切关系,...
[期刊论文] 作者：许振嘉,江德生,孙伯康,刘继光,张泽华,刘江夏,
来源：半导体学报 年份：2004
用红外吸收光谱、拉曼光谱、反射光谱、椭偏光法等研究了注氮硅的光学性质.注入条件为(1×10~(14)-1×10~(17))N·cm~(-2),70keV.研究结果表明:氮的电激活率很低,这与氮-硅原...
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