搜索筛选:
搜索耗时0.1139秒,为你在为你在102,285,761篇论文里面共找到 15 篇相符的论文内容
发布年度:
[期刊论文] 作者：孙祥乐,
来源：云南大学学报(自然科学版) 年份：1999
对ＺｒＯ／Ｗ尖端阴极热场发射中钨（１００）和（１１１）晶面的逸出功进行了测定，证明在钨表面蒸涂ＺｒＯ的情况下，钨晶面的逸出功会明显降低．且不同晶面降低的程度各不相同，（１１１）晶面降低的程度比（１００）晶面要大......
[学位论文] 作者：孙祥乐,
来源：云南大学 年份：2000
该文在W(100)、W(110)、W(111)尖端阴极热-场电子发射进行一系列HRTFEM观察的基础上,根据晶体结构理论及电解腐蚀原理,给出了W 尖端阴极的晶体结构模型,并用该模型对W(100)、...
[期刊论文] 作者：孙祥乐,杨德清,戴宏,
来源：云南大学学报(自然科学版) 年份：1999
通过对ＺｒＷ阴极和ＺｒＩｒ阴极测试，对２种阴极电子枪的特性进行了比较研究，得出在１９００Ｋ下ＺｒＷ阴极逸出功为２８６ｅＶ，亮度和寿命分别为２．４×１０６Ａ／（ｃｍ２．ｓｒ）和１０００ｈ以上，在１７００Ｋ下ＺｒＩｒ阴极的逸出功为３０２ｅＶ，亮度和寿命分别为１．２５×１０６Ａ／（ｃｍ２．ｓｒ）和３００ｈ以上......
[期刊论文] 作者：王忆锋,刘黎明,孙祥乐,陈燕,,
来源：红外 年份：2012
碲镉汞（Hgl-xCdxTe，MCT）材料的表面钝化被认为是光导和光伏探测器制备中的关键步骤之一。实用的MCT器件需要稳定且可重复生产的钝化表面和符合器件性能要求的界面及表面势。通过......
[期刊论文] 作者：王忆锋,刘黎明,孙祥乐,陈燕,
来源：红外 年份：2012
碲镉汞（Hg1-xCdxTe，MCT）材料的表面钝化被认为是光导和光伏探测器制备中的关键步骤之一。实用的MCT器件需要稳定且可重复生产的钝化表面和符合器件性能要求的界面及表面势。通过......
[期刊论文] 作者：王忆锋,刘黎明,孙祥乐,王丹琳,,
来源：红外 年份：2012
介绍了金属/碲镉汞（Hg_（1-x）Cd_xTe,MCT）接触研究的发展状况,包括基本概念、生长结构、化学活性以及电学性能。金属/MCT接触有两类：一类是电子（欧姆）接触,另一类是整流（Shottky）接触。......
[期刊论文] 作者：陈尔纲,杨德清,窦菊英,孙祥乐,
来源：广西师范大学学报(自然科学版) 年份：2000
从理论与实际方面研究了获得高分辨力场发射电镜 (FEM)的条件 ,认为在适当的场强及温度下0 .2 nm的分辨力是可以达到的 ,这与当前认为的 FEM分辨力只能在 2 nm上下高一个数量...
[会议论文] 作者：陈尔纲,杨德清,窦菊英,孙祥乐,
来源：第十一次全国电子显微学会议 年份：2001
...
[期刊论文] 作者：陈尔纲,杨德清,窦菊英,孙祥乐,陈仲伟,
来源：电子显微学报 年份：2000
1937年E.W.Müller[1]发明了场发射显微镜(FEM),直到最近[2],人们一直认为FEM的分辨力只能在2nm上下,因而不能像场离子显微镜(FIM)那样可以分辨原子[3]。我们认为FEM的分辨力...
[期刊论文] 作者：孙祥乐,孙茜,孙金妮,王忆锋,余连杰,刘黎明,,
来源：红外技术 年份：2012
介绍了一种提高红外器件磁控溅射沉积镀膜厚度均匀性的方法。这种方法被称为基片离心旋转法,是在保持磁控溅射靶不动及靶和样品台间距不变的情况下,通过样品台离心旋转的方法...
[期刊论文] 作者：孙祥乐, 高思伟, 毛渲, 龚晓霞, 余黎静, 宋欣波, 柴,
来源：红外技术 年份：2004
能够直观地"看到"半导体材料中制作的p-n结,对于半导体器件的设计和制造工艺很有意义,知道p-n结的厚度及其在样品中的位置,有利于设计器件的结构、保护膜的厚度、电极的尺寸...
[期刊论文] 作者：龚晓霞,肖婷婷,杨瑞宇,黎秉哲,尚发兰,孙祥乐,赵宇鹏,陈冬,
来源：红外技术 年份：2020
采用3种不同钝化膜制备InSb探测器,测试不同周长/面积比二极管芯片的I-V特性曲线,通过对偏置电压为-0.1 V时的暗电流密度进行比较,分析了表面漏电流对InSb探测器性能的影响。...
[期刊论文] 作者：孙祥乐,高思伟,毛渲,龚晓霞,余黎静,宋欣波,柴圆媛,尚发兰,
来源：红外技术 年份：2019
能够直观地“看到”半导体材料中制作的p-n结,对于半导体器件的设计和制造工艺很有意义,知道p-n结的厚度及其在样品中的位置,有利于设计器件的结构、保护膜的厚度、电极的尺...
[期刊论文] 作者：孙祥乐,高思伟,毛渲,龚晓霞,余黎静,宋欣波,柴圆媛,尚发兰,信,
来源：红外技术 年份：2019
...
[期刊论文] 作者：龚晓霞,肖婷婷,杨瑞宇,黎秉哲,尚发兰,孙祥乐,赵宇鹏,陈冬琼,杨文运,,
来源：红外技术 年份：2020
采用3种不同钝化膜制备InSb探测器,测试不同周长/面积比二极管芯片的I-V特性曲线,通过对偏置电压为-0.1 V时的暗电流密度进行比较,分析了表面漏电流对InSb探测器性能的影响....
相关搜索：
