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[期刊论文] 作者：安海岩,
来源：石油石化物资采购 年份：2020
近些年,国家对大气污染源的控制力度逐渐严格,而化工企业污染物排放对大气污染贡献巨大。因此,LDAR检测技术,被作为对化工企业十二项污染源中“无组织排放”源的有效控制手段...
[学位论文] 作者：安海岩,
来源：吉林大学 年份：1992
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[期刊论文] 作者：安海岩,
来源：中国激光 年份：1995
报道了利用LP-MOVPE技术生长高质量的InGaAs/InGaAsP分别限制应变量子阱激光器结构材料、激光器制作和结果.宽而激光器实现了室温脉冲受激发射.激射波长为1.49 μm，在腔长为2000 μm时，最低阈值电流密度为0.30 kA/cm2.最大脉冲光输出峰值功率达500 mW以上.同时，从......
[期刊论文] 作者：安海岩,杨树人,
来源：高技术通讯 年份：1997
介绍了应变补偿量子阱结构在结构优化设计和稳定性方面的研究，以及在改善器件性能方面的应用情况。提出了目前这一课题研究中仍存在的问题。并为这些问题的解决提出了参考性意......
[期刊论文] 作者：安海岩,杨树人,刘式墉,
来源：高技术通讯 年份：1997
介绍了应变补偿量子阱结构在结构优化设计和稳定性方面的研究，以及在改善器件性能方面的应用情况。提出了目前这一课题研究中仍存在的问题，并为这些问题的解决提出了参考性意见......
[期刊论文] 作者：金智,杨树人,安海岩,刘式墉,
来源：半导体光电 年份：1999
通过计算应变多量子阱中的净应力和应变弛豫，讨论了激光器结构中应变多量子阱的稳定性。净应力是失配位错增殖的驱动力，是应变多量子阱稳定的重要判据。因此，用单结点模型计算了......
[期刊论文] 作者：彭宇恒,安海岩,陈维友,刘式墉,
来源：中国激光 年份：1998
从理论上分析了应变补偿多量子阱激光器的阈值特性，并以ＩｎＧａＡｓ（Ｐ）体系为例，分别对应变补偿结构和普通应变多量子阱激光器进行了数值计算。结果表明，具有应变补偿结构的激光器可以获得较大......
[期刊论文] 作者：安海岩,杨树人,李玉东,胡礼中,刘式墉,
来源：中国激光 年份：1995
报道了利用ＬＰ－ＭＯＶＰＥ技术生长高质量的ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓＰ分别限制应变量子阱激光器结构材料、激光器制作和结果．宽而激光器实现了室温脉冲受激发射．激射波长为１．４９μｍ，在腔长为２０００μｍ时，最低阈值电流密度为０．３０ｋＡｃｍ－２．最大脉冲光......
[期刊论文] 作者：安海岩,杨树人,秦福文,王本忠,刘式墉,
来源：吉林大学自然科学学报 年份：1994
本文研究了用低压金属有机化学气相外延（ＬＰ－ＭＯＶＰＥ）技术，以三申基镓（ＴＭＧａ）、三甲基铟（ＴＭＩｎ）为Ⅲ族源，ＡｓＨ＿３和ＰＨ＿３为Ⅴ族源，在（１００）方向掺Ｓ的ｎ￣＋ＩｎＰ衬底上生长短波长Ｉｎ＿ｘＧａ＿（１－ｘ）Ａｓ＿ｙＰ＿（１－ｙ）材料的生长条件，并用双晶Ｘ射线衍射（ＤＣＤ）和光荧光（ＰＬ）对不同条件下生长的......
[期刊论文] 作者：金智,杨树人,王本忠,孙洪波,安海岩,刘式墉,
来源：吉林大学自然科学学报 年份：1999
利用连续介质模型，计算有非应变盖层的应变外延层结构中单位面积的能量．引入上下界面失配位错数目的比例因子η，利用能量最低原理，求得η的表达式．研究表明，失配位错在上下界面的分......
[期刊论文] 作者：金智,杨树人,安海岩,马春生,王本忠,刘式墉,
来源：半导体学报 年份：1999
本文利用连续介质模型讨论了有盖层的应变外延层的稳定性。针对目前的单扭结和双扭结模型中净作用力和净应力相互独立，不能统一的缺点，本文提出了一种混合扭结模型，即在盖层小于......
[期刊论文] 作者：金智,杨树人,安海岩,王本忠,赵方海,刘式墉,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1998
利用Ｄ－Ｔ模型考虑了界面位错间的相互作用，计算了外延层与衬底为不同失配，不同厚度时，应变的释放。发现由于失配产生的位错，在外延层应变释放的初期，主要是靠产生６０°位错来释放应变......
[期刊论文] 作者：王新强,杜国同,殷景志,李明涛,安海岩,杨树人,
来源：光电子·激光 年份：2000
本文概述了近年来 In As P/ In Ga P应变补偿量子阱的研究与进展 ,从材料结构、界面质量、器件、存在问题及应用前景等方面对其进行了较为详细的叙述。界面质量的研究表明 ,I...
[期刊论文] 作者：金智,杨树人,马春生,安海岩,王本忠,刘式墉,
来源：中国科学(A辑) 年份：1999
分析了应变外延层中非应变盖层厚度和在应变层上下界面的失配位错数目差对净应力的影响 ,对现有的单结点和双结点位错模型的净应力的表达式进行了修正 ,得到一个能将单、双结点模型统一起来且对任意盖层厚度都适用的表达式 .从而进一步完善了描述应变外延层中失......
[期刊论文] 作者：刘宝林,杨树人,陈伯军,王本忠,安海岩,秦福文,刘式墉,
来源：光子学报 年份：1996
本文指出在ＬＰ－ＭＯＣＶＤ生长过程中，采用量子阱有源区和上限制层不同的生长温度以及生长非掺杂过渡层等技术能有效的控制ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ量子阱激光器的ｐ－ｎ结结位，给出了采用ＤＥＺｎ和Ｈ２Ｓ做掺杂源在ＩｎＰ材料中ｐ型和ｎ型杂质溶度......
[期刊论文] 作者：陈佰军,薛善华,侯晶莹,安海岩,黄劲松,杨毅,刘式墉,马於光,沈家骢,
来源：科学通报 年份：1996
聚合物材料由于成本低廉,器件制备工艺简单,高量子效率,因此近年来越来越受到人们的重视。用聚合物材料作为有源层制作的发光二极管具有发光面积大,发光波长范围广(可覆盖整...
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