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[期刊论文] 作者：封松林,,
来源：中国科学院院刊 年份：2000
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[期刊论文] 作者：封松林,
来源：中国科学院院刊 年份：2003
2001年8月,上海微系统与信息技术研究所(简称上海微系统所)正式更名,拉开了新时期跨越发展新的一幕....
[期刊论文] 作者：封松林,,
来源：中国水利 年份：2008
MiWAVE系统为唐家山堰塞湖应急处置提供了远程实时监控手段，成为决策者掌握堰塞湖应急处置泄流渠泄洪状况和为流域下游安全提供信息保障的重要工具，应用中发挥了突出作用。文章......
[期刊论文] 作者：封松林,
来源：中国科技信息 年份：1999
当历史的车轮走到世纪交错之际,在我国半导体发展各个阶段都作出过重要贡献的中科院半导体所,作为科学院信息科学基地成员以全新的面貌开始了知识创新工程试点,全力以赴地迎...
[期刊论文] 作者：封松林,,
来源：散文百家（下） 年份：2016
初中美术教学既要重视素质教育，感受美术文化，同时也要掌握一定的美术技能、技巧，两方面都要得到发展的话，还是让我们从生活美术教育的角度进行美术教学。我们要关心学生，研究学生......
[期刊论文] 作者：封松林,,
来源：中国科学院院刊 年份：2018
1"科学的春天"铺就了我的科研路我们这一代人是共和国历史上非常幸运的一代,在我们茁壮成长的时候,赶上了拨乱反正的好时代。1977—1978年中央的几个重要决定铺平了我们一生的发展道路。1977年,因"文化大革命"而中断了十年的中国高考制度得以恢复,让我们看到了......
[期刊论文] 作者：封松林,
来源：高技术通讯 年份：2000
Ｉｎ(Ｇａ)Ａｓ/ＧａＡｓ量子点体系因其独特、优越的光电性质,成为替代目前ＩｎＰ基材料,制备光纤通讯用13μｍ长波长激光器的热门材料之一,引起各国科学家的高度重视。许多科研小组已投入很多的财力和物......
[期刊论文] 作者：封松林,,
来源：视听界(广播电视技术) 年份：2010
中国科学院上海高等技术研究院(筹)是中国科学院和上海市共同建立的一个综合交叉的新机构,研究国家的新型战略,物联网(传感网)便是其中之一。二战时期,就已经出现了传感网的...
[会议论文] 作者：封松林,
来源：全国光电子物理及应用前沿问题研讨会 年份：1998
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[会议论文] 作者：封松林,
来源：第五届全国分子束外延学术会议 年份：1999
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[期刊论文] 作者：封松林,
来源：中国青年科技 年份：2004
记得上中学的时候,学校的条件还很差,几乎没有什么实验课,学到物理光学部分的时候,学校组织学生到当地的一所师范学院物理系参观,我在那里第一次见到一台很小的H_E—N_E激光...
[会议论文] 作者：封松林,
来源：第五届亚洲炼油和石化科技大会 年份：2016
中国科学院在前期工作的基础上，经过认真分析论证认为“感知中国”是我国应对世界信息化变革浪潮的重大抉择，是中国信息化的新阶段，其核心就是信息技术的“人机物”三元融合。支......
[会议论文] 作者：封松林,周洁,
来源：中国有色金属学会1993年砷化镓及有关化合物会议 年份：1993
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[期刊论文] 作者：封松林,解伟,,
来源：中兴通讯技术 年份：2011
基于下一代广播电视无线网(NGB-W)技术需求分析,文章给出了两种广播与双向通信融合的网络架构,讨论了下行广播传输、广播与通信融合数据推送、双向无线接入、频谱感知等方面...
[期刊论文] 作者：王海龙,封松林,
来源：光电子．激光 年份：1999
利用能级瞬态谱（ＤＬＴＳ）和瞬态光阻率谱（ＴＰＲＳ）研究了利用金属有机物化学气相沉淀（ＭＯＣＶＤ）方法生长的未有间 杂的Ｉｎ１－ｘＧａｘＰ中缺陷对载流子的俘获和发射过程，利用ＤＬＴＳ测量观测到了一个激活能为０．３５ｅＶ的缺陷，由ＴＰＲＳ测量确定该缺......
[期刊论文] 作者：王海龙,封松林,
来源：光电子·激光 年份：1999
考虑到深中心俘获与发射载流子对自由载流子浓度的影响而对中心俘获过程进行了推导与讨论， 了以瞬态光霍耳谱测量和瞬态光电阻率谱测量为基础的两套新的深能级分析测试手段，并......
[期刊论文] 作者：陈枫,封松林,
来源：红外与毫米波学报 年份：1997
成功地用深能级瞬态谱研究了ＩｎＡｓ自组织生长的量子点电学性质，获得２．５原子层ＩｎＡｓ量子点电子基态能级在ＧａＡｓ导带底下的０．１３ｅＶ，该量子点在荷电状态发生变化时伴随着晶格弛豫，对应俘获势垒为０．３２ｅＶ，本工作也证明......
[期刊论文] 作者：陈枫,封松林,
来源：半导体学报 年份：1998
我们利用深能级瞬态谱（ＤＬＴＳ）研究了一系列ＩｎＡｓ自组织生长的量子点超晶格样品，确认样品中存在体ＧａＡｓ缺陷能级ＥＬ２和ＩｎＡｓ量子点电子基态能级。测得１．７和２．５原子层ＩｎＡｓ量子点电子基态能级相对于ＧａＡｓ的导带底分别为１００ｍｅＶ和２１０ｍｅＶ，量......
[期刊论文] 作者：王海龙,封松林,
来源：发光学报 年份：1999
利用深能级瞬态谱和瞬态光电阻率谱研究了利用金属有机物化学汽相沉淀生长的未有意掺杂的Ｉｎ０．４９Ｇａ０．５１Ｐ中缺陷对载流子的俘获过程和发射过程。...
[期刊论文] 作者：赵谦,封松林,
来源：半导体学报 年份：1998
本文报道了用ＭＥＢ－ＳＰＭ联合系统对ＩｎＡｓ／ＧａＡｓ量子占进行准原位研究的初步结果。ＳＴＭ图像表明，在对ｎ＾＋－ＧａＡｓ衬底进行脱氧处理后，通过生长ＧａＡｓ缓冲层能有效的改善表面质量。在缓冲层上继续生长２单原子层ＩｎＡｓ后形成了量子点......
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