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[期刊论文] 作者：惠恒荣,卢波,
来源：电子科技大学学报 年份：1989
本文提出运电容分压原理来解决α-Si:H MOSFET 栅压φGS与表面电势φS 关系的新方法,分析其转移特性和输出特性,唯象地解释了“积累”工作模式的源漏...
[期刊论文] 作者：惠恒荣,广国庆,
来源：电子科技大学学报 年份：1990
为制备高输出性能的 α-Si∶H FET,本文运用电荷控制理论分析了器件的输出电流、开关比及场效应迁移率对材料和结构参数的依赖关系。根据分析结果设计并制备了沟道宽长比高达...
[期刊论文] 作者：惠恒荣,五室,等,
来源：半导体技术 年份：1990
本文研制了两种引入a-Si:H材料的氮化硅芯片电容,其一是作为辅助介质引入的,其二是为了改善Si/Si2N4界面而引入的,文章报导了这两种电容的研制工艺及样品的各种性能,其结构表...
[期刊论文] 作者：惠恒荣,马秉仁,
来源：电子科技大学学报 年份：1989
本文采用辉光法和离子注入技术制备了五种不同结构的a-Si∶H肖特基势垒,测试了这些结构的电流—电压特性,计算了各种样品的势垒高度。结果表明:当a-Si∶H掺杂浓度足够大时,电...
[期刊论文] 作者：惠恒荣,箸玉辉,
来源：电子科技大学学报 年份：1990
本文制备了六种不同结构的 α-Si:H 多层膜结构,对其切面进行了扫描电镜观察分析.结果表明:辉光法生长 α-Si:H 膜过程中存在沉积和刻蚀一对对抗性矛盾,在常规工艺下各层界面...
[期刊论文] 作者：惠恒荣,广国庆,艾亚男,
来源：电子科技大学学报 年份：1990
为制备高输出性能的 α-Si∶H FET,本文运用电荷控制理论分析了器件的输出电流、开关比及场效应迁移率对材料和结构参数的依赖关系。根据分析结果设计并制备了沟道宽长比高达...
[期刊论文] 作者：惠恒荣,徐玉辉,唐方奎,
来源：电子科技大学学报 年份：1990
本文制备了六种不同结构的 α-Si:H 多层膜结构,对其切面进行了扫描电镜观察分析.结果表明:辉光法生长 α-Si:H 膜过程中存在沉积和刻蚀一对对抗性矛盾,在常规工艺下各层界面...
[期刊论文] 作者：惠恒荣,马秉仁,秦学超,
来源：电子科技大学学报 年份：1989
本文采用辉光法和离子注入技术制备了五种不同结构的a-Si∶H肖特基势垒,测试了这些结构的电流—电压特性,计算了各种样品的势垒高度。结果表明:当a-Si∶H掺杂浓度足够大时,电...
[期刊论文] 作者：惠恒荣,吴爱兰,张东升,五室,
来源：半导体技术 年份：1990
本文研制了两种引入a-Si:H材料的氮化硅芯片电容,其一是作为辅助介质引入的,其二是为了改善Si/Si_3N_4界面而引入的,文章报导了这两种电容的研制工艺及样品的各种性能,其结果...
[期刊论文] 作者：惠恒荣,向勇,周大龙,张小平,李梅,
来源：半导体技术 年份：1988
本文介绍了运用辉光分解硅烷法制备a-Si:H薄膜的基本原理、设备及工艺,采用不同的工艺条件制备了一系列不同的掺杂和本征a-Si:H薄膜,对掺杂样品的电导率进行了检测.结果表明,...
[期刊论文] 作者：惠恒荣,刘燕,邓世美,恽正中,
来源：成都电讯工程学院学报 年份：1987
本文运用辉光放电分解硅烷的方法,制备了几种不同型号的a-Si:H薄膜,对各种薄膜的光学吸收系数进行了测试。结果表明,掺杂、退火对材料的吸收系数有提高的影响,在4000—10000A范围内,各种薄膜的光学吸收系数都比C-Si高,进一步的推导得到各种样品的光学禁带宽度在......
[期刊论文] 作者：惠恒荣,秦学超,李建强,恽正中,,
来源：传感器技术 年份：1989
本文介绍了一种成本低廉、灵敏度高的新型氢化非晶硅(a-Si:H)薄膜温度传感器的工作原理、样品结构和制备方法。同时还报导了作者对这种传感器研制的初步结果。...
[期刊论文] 作者：惠恒荣,胡思福,曾军,徐玉辉,赵兴华,黎展荣,,
来源：成都电讯工程学院学报 年份：1987
本文从积累型工作模式和反型工作模式出发,设计并制造出三种不同结构的 a-Si:H MNSFET。测试了它们的转移特性,并对其特性的异同点进行了解释。结果表明,工作在积累模式的漏...
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