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[期刊论文] 作者：戚盛勇,
来源：复旦学报(自然科学版) 年份：1986
在90～300K温区范围内测试了中子辐照直拉硅单晶的正电子寿命谱及红外光谱,发现直拉硅单晶的中子辐照缺陷主要是双空位和氧-空位复合体.此外,还分析了这些缺陷的一些基本性质....
[期刊论文] 作者：戚盛勇,李华,
来源：集成电路应用 年份：2003
电迁移失效是影响大规模电路可靠性的一个重要因素，通过电迁移的可靠性实验可以评估它的寿命。本文介绍了三种不同的评估方法，比较了它们的优缺点和近似条件，并用实例比较了相应......
[期刊论文] 作者：戚盛勇,李华,,
来源：集成电路应用 年份：2003
电迁移失效是影响大规模电路可靠性的一个重要因素,通过电迁移的可靠性实验可以评估它的寿命。本文介绍了三种不同的评估方法,比较了它们的优缺点和近似条件,并用实例比较了...
[期刊论文] 作者：戚盛勇,王煜,,
来源：汕头大学学报(自然科学版) 年份：1989
本文讨论了以正电子素为探针探测不同相结构的氧化铝和HY分子筛等多孔材料内表面的一些物理和化学性质.发现在α、θ混合桐的氧化铝中存在着孔径为不到1纳米的小孔和几个纳米...
[期刊论文] 作者：戚盛勇,俞权,
来源：半导体学报 年份：1998
在ＭＯＳ结构的窄沟器件，倒比器件中，鸟咀区下的势垒层所构成的非本征电容Ｃｇｂ０对集成电路的高频特性有较大影响，但由于它与本征电容并联，且有杂散电容的影响，不易测准，本文研究了精确测量Ｃｇｂ０的方......
[期刊论文] 作者：戚盛勇,金晓冬,
来源：半导体学报 年份：1996
随着ＭＯＳ器件尺寸的缩小，“鸟嘴区”对窄沟器件的电学特性已产生了明显的影响。本文研究了窄沟器件中“鸟嘴区”引起的栅电压对有效沟道宽度调制效应以及“鸟嘴”区域内域流子有效......
[期刊论文] 作者：李作前,戚盛勇,
来源：核技术 年份：1985
正电子湮没技术中最常用的放射源是22Na 薄膜源。通常把22Na的溶液滴在Ni箔或Mylar膜上。由于正电子在Mylar膜上的湮没,在寿命谱中往往有一个百分之几的长寿命成份,这对...
[期刊论文] 作者：戚盛勇,刘复汉,
来源：催化学报 年份：1987
正电子是电子的反粒子,正电子和正电子素o-Ps(一种由正负电子对形成的束缚态原子)可以用来探测物质的微观结构.近几年来,正电子素化学已成为正电子谱学(PositronAnnihilatio...
[会议论文] 作者：戚盛勇,刘复汉,
来源：第三届全国催化学术会议 年份：1986
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[期刊论文] 作者：戚盛勇,俞权,彭军,
来源：半导体学报 年份：1998
在ＭＯＳ结构的窄沟器件、倒比器件中，鸟咀区下的势垒层所构成的非本征电容Ｃｇｂ０对集成电路的高频特性有较大影响，但由于它与本征电容并联，且有杂散电容的影响，不易测准．本文研究了精确测量Ｃｇｂ０的......
[期刊论文] 作者：高滋,杨雪敏,潘思忠,高本祥,戚盛勇,王煜,
来源：物理化学学报 年份：1989
本文测量了NaY、HY和NH_4Y在不同抽空温度下的正电子寿命谱,得到了四个寿命组份,并对它们的归属进行了讨论。其中两个长寿命组份τ_s和τ_4归结为沸石内表面和笼内o-Ps的湮没...
[期刊论文] 作者：宗祥福,顾孝义,戚盛勇,神承复,罗林基,黄慧玲,俞桂贞,袁小莺,秦涛,杨灏,陈智生,
来源：电子学报 年份：1985
通过红外吸收测量、带电粒子活化分析及腐蚀后的金相观察,证实了经三步热处理退火后的CZ硅片,表面层氧外扩散而形成“清洁区”,体内氧沉淀形成高密度的缺陷区。采用中子活化...
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