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[期刊论文] 作者：李观启,曾绍鸿,
来源：半导体学报 年份：1996
在完成硅平面晶体管管芯和上部电极制备后，用低能量氩离子束进行背面轰击，能显著增大高频和超高频小功率晶体管的电流放大系数，提高特征频率，功率增益和输入阻抗，减小噪声系数和使......
[期刊论文] 作者：曾绍鸿,黄美浅,
来源：华南理工大学学报：自然科学版 年份：1995
在制造硅ｎｐｎ型高频、超高频小功率晶体管管芯和形成铝电极后，用低能量氩离子束进行背面轰击，能显著增大晶体管的直、交流电放大系数，提高特征频率和使击穿特性变硬。实验结果表明，上......
[期刊论文] 作者：曾绍鸿,黄美浅,李观启,
来源：华南理工大学学报(自然科学版) 年份：1995
在制造硅ｎｐｎ型高频、超高频小功率晶体管管芯和形成铝电极后，用低能量氩离子束进行背面轰击，能显著增大晶体管的直、交流电流放大系数，提高特征频率和使击穿特性变硬。实验结果表明......
[期刊论文] 作者：李观启,曾绍鸿,黄美浅,
来源：半导体学报 年份：1996
在完成硅平面晶体管管芯和上部电极制备后，用低能量氩离子束进行背面轰击，能显著增大高频和超高频小功率晶体管的电流放大系数，提高特征频率、功率增益和输入阻抗，减小噪声系数和......
[期刊论文] 作者：李斌,李观启,黄美浅,曾绍鸿,
来源：华南理工大学学报：自然科学版 年份：2002
通过离子束溅射技术淀积在SiO2/Si衬底上的钛酸镧钡铌膜(Ba1-xLaxNbyTi1-yO3),制成集薄膜电阻和金属-绝缘体-半导体(MIS)电容为一体的传感器.实验结果表明,薄膜电阻在303～673...
[期刊论文] 作者：黄美浅,李观启,李斌,曾绍鸿,
来源：半导体学报 年份：2003
研究了低能量背面Ar+轰击对n沟MOSFET低频噪声的影响 .用低能量 ( 5 5 0eV)的氩离子束轰击n沟MOSFET芯片的背面 ,能改善其饱和区和线性区的低频噪声频谱密度 .饱和区低频噪声...
[期刊论文] 作者：李斌,李观启,黄美浅,曾绍鸿,
来源：华南理工大学学报(自然科学版) 年份：2002
通过离子束溅射技术淀积在SiO2 /Si衬底上的钛酸镧钡铌膜 (Ba1-xLaxNbyTi1- yO3) ,制成集薄膜电阻和金属 -绝缘体 -半导体 (MIS)电容为一体的传感器 .实验结果表明 ,薄膜电阻...
[期刊论文] 作者：李观启,钟平,黄美浅,曾绍鸿,
来源：华南理工大学学报(自然科学版) 年份：1995
在室温下用低能量Ａｒ＋轰击ＭＯＳ电容器背面，能改善ＳｉＯ２－Ｓｉ系统的界面特性和击穿特性。结果表明，随着轰击时间的增加，固定电荷密度、界面态密度和漏电流减少，高场击穿的比率增大，然后这些参数变化平......
[期刊论文] 作者：刘玉荣,李观启,黄美浅,曾绍鸿,
来源：电子元件与材料 年份：2001
利用氩离子束镀膜技术在SiO2/Si衬底上淀积钛酸镧锶（Sr1-xLaxTiO3）膜，并制成平面型电阻器。研究了薄膜电阻器的光电流与照度、电压和电极间距的关系以及薄膜在调制光下的频率特...
[期刊论文] 作者：刘玉荣,李观启,黄美浅,曾绍鸿,
来源：华南理工大学学报(自然科学版) 年份：2001
利用氩离子束镀膜技术在SiO2 /Si衬底上淀积钛酸锶 (SrTiO3)膜 ,并制成平面型电阻器 .结果表明 :在实验温区 (2 8～ 150℃ )内 ,SrTiO3薄膜具有负温度系数电阻特性 ,且热敏特性...
[期刊论文] 作者：陈蒲生,王川,刘小阳,王岳,曾绍鸿,
来源：华南理工大学学报(自然科学版) 年份：1995
在ＰＥＣＶＤ法低温制备优质薄膜技术中，改变衬底温度、反应室气压、混合气体组份，运用退火致密工艺，制备富氮的ＳｉＯｘＮｙ栅介质膜样品。采用准静态Ｃ－Ｖ和高频Ｃ－Ｖ特性测试、俄歇电子能谱分析、椭偏谱仪检测......
[会议论文] 作者：黄美浅,张玉玺,廖奕水,翁文华,曾绍鸿,
来源：第十一届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 年份：1999
用低能量（５５０ｅＶ）氩离子束轰击ｎ沟ＭＯＳＦＥＴ芯片的背面，能改善其阈值电压Ｖｒ、跨导ｇ〈，ｍ〉、沟道电导ｇ〈，ｄ〉、有效迁移率μ〈，ｅｆｆ〉等参数。结果表明，随着轰击时间的增加，阈值电压先减小，然后增大；而跨导、沟道电......
[期刊论文] 作者：陈蒲生,章晓文,冯文修,张昊,曾绍鸿,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2000
采用雪崩热电子注入技术研究了富氮 Si Ox Ny 纳米级薄膜的陷阱特性。观察到该薄膜存在着受主型电子陷阱 ,随着注入的增长、界面上产生的这种陷阱将起主导作用 ,其密度大过施...
[期刊论文] 作者：李观启,吴英才,黄美浅,曾绍鸿,刘百勇,
来源：物理学报 年份：1995
利用氩离子束镀膜技术,在N型(100)硅单晶片上淀积钛酸钡膜,并制成MIS结构.在室温下测试其电容-相对湿度(C-RH)特性和电流-相对湿度(I-RH)特性.研究退火条件与固定电荷密度和...
[期刊论文] 作者：李观启,严东军,黄美浅,曾绍鸿,刘百勇,
来源：华南理工大学学报(自然科学版) 年份：1995
本文采用氩离子刻蚀法，将ＳｉＯｘＮｙ膜减薄成不同厚度的样片，并制成Ａｌ－ＳｉＯｘＮｙ－Ｓｉ系统的ＭＩＳ电容器。利用平带电压随膜厚度变化的关系和最小二乘法，测定有效功函数差和Ｓｉ－ＳｉＯｘＮｙ系统的固定电荷密度。结果表明，该系统的......
[期刊论文] 作者：李观启,曾勇彪,王剑飞,黄美浅,曾绍鸿,
来源：半导体学报 年份：1998
用低能量氩离子束轰击肖特基势垒二极管芯片背面，能有效减小反向电流和理想因子，增高势垒高度和减小势垒电容．对于较大的轰击能量和束流密度，特性改善的效果较显著．但过长的轰击时......
[期刊论文] 作者：陈蒲生,张昊,冯文修,田小峰,刘小阳,曾绍鸿,
来源：华南理工大学学报：自然科学版 年份：2001
通过施加直流电压于P型SiOxNy薄膜，使热电子注入到薄膜而引起薄膜电学参数的改变.测试了薄膜在电子注入前后电学参数的变化，以研究薄膜的电子注入特性，探求薄膜的抗电子注入能力......
[期刊论文] 作者：陈蒲生,张昊,冯文修,章晓文,刘小阳,曾绍鸿,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2002
采用雪崩热电子注入技术研究了纳米级富氮 Si Ox Ny 薄膜界面陷阱的物理模型。证实了 PECVDSi Ox Ny 薄膜中界面陷阱来源于悬挂键的物理模型。观察到该纳米膜内存在着受主型...
[期刊论文] 作者：陈蒲生,冯文修,王川,王锋,刘小阳,田万廷,曾绍鸿,
来源：半导体学报 年份：1997
研究了用作薄介质栅的等离子体增强化学气相淀积（PECVD）方法低温形成的SiOxNy薄膜与其电学特性．探索该薄膜电学特性与微观组分，反应室气压，衬底工作温度，退火致密和金属化后退火等......
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