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[期刊论文] 作者：朱帼才,,
来源：半导体情报 年份：1991
Bochum的鲁尔大学半导体器件工作组与HP公司合作研制了一种硅芯片,它属于目前世界上速度最快的集成电路。芯片用HP公司新研究的硅双极工艺制成。这是一种定时多路传输器,它...
[期刊论文] 作者：朱帼才,,
来源：半导体情报 年份：1987
一、为高度发展的微电子学所制订的“BICMOS”项目在由欧洲共同体资助的Esprit计划范围内(Esprit)——“欧洲信息技术研究和发展战略计划”的简称),以菲利浦公司为主要厂家...
[期刊论文] 作者：朱帼才,,
来源：半导体情报 年份：1989
据“欧洲半导体工业会议”所公布的数字分析:半导体工业“不景气”的年代已过去。到1993年半导体市场将有很大发展,虽然对1990年前的情况不能抱有很大希望。但与1987年相比,...
[期刊论文] 作者：朱帼才,,
来源：半导体情报 年份：1989
最近,联邦德国“Elekctronik”杂志连续刊登题为“关键工艺——微电子学”的评论文章。文章的作者们普遍认为:“欧洲半导体工业目前已处于转折关头。为了能在国际上获得竞争...
[期刊论文] 作者：朱帼才,Pringz.EJ,
来源：半导体情报 年份：1993
研究了Si/Si1-xGex/Si n-p-n异质结双极晶体管（HBT）的结界面处基区杂质外扩散与标定的未掺杂Si1-xGex隔离层的影响，发现，来自重掺杂基区或非突变界面处少量硼的外扩散会在导带中...
[期刊论文] 作者：M.Horiuchi,朱帼才,,
来源：半导体情报 年份：1990
实践证明,用新法制出的莫来石,其机械强度较好,介电常数较低,热膨胀系数(TCE)与硅接近。然而,普通陶瓷在热导率方面却始终保持着优势。因此金属基莫来石基板有可能取代常规的...
[期刊论文] 作者：T.Egawa,朱帼才,,
来源：半导体情报 年份：1987
研究了位错对液封直拉法(LEC)生长的非掺杂半绝缘(SI)GaAs衬底上MESFET阈值电压(V_(th))的影响及其对注入后退火的依赖性。用低As压退火,位错团周围大约70μm半径内V_(th)向...
[期刊论文] 作者：T.yokoo,朱帼才,,
来源：半导体情报 年份：1989
为了使迄今为止采用真空管(20kHz～200kHz,几千瓦～300kW)的感应加热设备小型化并同时提高其效率,我们研制并大批生产了用SIT的新型感应加热设备。与用真空管的设备相比,大批生产...
[期刊论文] 作者：N.E.McGruer,朱帼才,,
来源：半导体情报 年份：1992
分析了采用真空微电子技术的微带放大器,该放大器可能在频率高达1THz下输出功率1～50W。说明了实际设计的限制因素,包括栅控场发射微带中的损耗、所要求的场发射电流、空间电荷...
[期刊论文] 作者：W.C.Petersen,朱帼才,,
来源：半导体情报 年份：1984
本文描述了20GHz卫星通讯用的二级GaAs单片缓冲放大器的设计、制造和测试结果。从1.5×1.5mm芯片上得到17.7～20.2GHz内13±0.75dB的增益、在这个芯片面积上还包括一切必需的偏...
[期刊论文] 作者：Yokoo,T,朱帼才,
来源：半导体情报 年份：1989
为了使迄今为止采用真空管(20kHz～200kHz,几千瓦～300kW)的感应加热设备小型化并同时提高其效率,我们研制并大批生产了用SIT的新型感应加热设备。与用真空管的设备相比,大批生产...
[期刊论文] 作者：Horiu.,M,朱帼才,
来源：半导体情报 年份：1990
实践证明,用新法制出的莫来石,其机械强度较好,介电常数较低,热膨胀系数(TCE)与硅接近。然而,普通陶瓷在热导率方面却始终保持着优势。因此金属基莫来石基板有可能取代常规的...
[期刊论文] 作者：Tien-Pei Lee,朱帼才,,
来源：半导体情报 年份：2004
给出了描述InGaAsP注入式激光器中单模(单频)功率的下限和上限与腔长关系的简单表达式。发现,单模功率的下限与腔长成正比,而其上限却与腔长成反比。因此,短腔激光器在阈值以...
[期刊论文] 作者：Jun Shibata,朱帼才,,
来源：半导体情报 年份：1985
本文报导了1.3μm 波长范围的激光二极管及其高速激励电路首次成功地集成在一起的情况。在这种光电子集成电路中,利用在同一衬底上生长的 InGaAsP 和 InP 液相外延层制作了隐...
[期刊论文] 作者：Shuichi Miura,朱帼才,,
来源：半导体情报 年份：1988
研究了一种制作光电集成电路(OEIC)用的新型的平面化技术。详细分析了为获得完全平整的隐埋结构所需的衬底制备和离子束腐蚀的条件。这种工艺已成功地用于AlGaAs/GaAs p-i-n...
[期刊论文] 作者：E J.Prinz,朱帼才,,
来源：半导体情报 年份：1993
研究了Si/Si_(1-x)Ge_x/Si n-p-n异质结双极晶体管(HBT)的结界面处基区杂质外扩散与标定的未掺杂Si_(1-x)Ge_x隔离层的影响。发现,来自重掺杂基区或非突变界面处少量硼的外扩...
[期刊论文] 作者：Su,朱帼才,,
来源：半导体情报 年份：1985
介绍一种双异质结InGaAsP/InP双极晶体管,它包括一层用溅射淀积制备的作宽禁带发射区的CdO膜。电流增益已高达40。用CdO层作集电区时,晶体管还能以相反方式工作。该管的主要...
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