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[学位论文] 作者：李秀圣,,
来源：大连理工大学 年份：2009
碳化硅（SiC）由于具有宽禁带、高击穿场强、高热导率等优异的物理及电子学特性,使其在高温、高频、大功率及抗辐射等领域具有广阔的应用前景。与其它宽禁带半导体相比,SiC最大的......
[期刊论文] 作者：李秀圣,
来源：潍坊学院学报 年份：2020
碰撞电离雪崩渡越时间二极管是高频通信领域最具潜力的功率电子学器件,硅和砷化镓材料广泛用于该器件的制造中,但材料较小的禁带宽度限制了二极管的功率输出能力及直流-射频...
[期刊论文] 作者：李秀圣,,
来源：潍坊学院学报 年份：2011
介绍了一种基于现场可编程逻辑阵列和数字信号处理器协同作业的高速图像处理嵌入式系统。借助于单片双口RAM,设计了一种新颖的数据传输结构,并利用乒乓技术实现对实时高速图像数据的缓冲。整个系统的工作流程在FPGA和DSP的分工及协作下完成,这比使用单片DSP建立......
[期刊论文] 作者：李秀圣,
来源：潍坊学院学报 年份：2018
本文利用氮化镓半导体,设计了传统的高-低结构的碰撞电离雪崩渡越时间(IMPATT)二极管,并利用漂移-扩散输运模型和流体动力学输运模型,在Sentaurus模拟器中对器件的直流特性进...
[学位论文] 作者：李秀圣,
来源：西安电子科技大学 年份：2019
微波固态源器件的研究已成为大功率器件研究的主要内容之一，作为两端口器件中射频振荡输出功率最高的IMPATT器件，GaN基IMPATT二极管是目前国际上非常推崇的最具潜力的太赫兹功率辐射源器件，受到越来越多的重视和深入研究。目前，国际上还没有关于GaN基IMPATT二极管实......
[学位论文] 作者：李秀圣,
来源：大连理工大学 年份：2009
碳化硅(SiC)由于具有宽禁带、高击穿场强、高热导率等优异的物理及电子学特性，使其在高温、高频、大功率及抗辐射等领域具有广阔的应用前景。与其它宽禁带半导体相比，SiC最大的优势在于能通过热氧化生成本征氧化物二氧化硅(SiO2)，这使它能在成熟的硅工艺基础上制作......
[期刊论文] 作者：李秀圣,郭伟峻,,
来源：潍坊学院学报 年份：2012
采用近红外光源与图像差分相结合的方法在现场可编程逻辑阵列(FPGA)平台上实现了人眼检测系统。利用图像差分可以获得具有亮瞳孔效应、以人脸为主体的目标图像,通过对其进行灰度拉伸、分割、积分投影可以得到人脸位置,在检测到的人脸区域利用改进的复杂度算法实......
[期刊论文] 作者：李秀圣,曹连振,
来源：半导体技术 年份：2020
为研究碰撞电离雪崩渡越时间(IMPATT)二极管的温度特性,采用Sentaurus软件设计了晶格匹配的In0.17Al0.83N/GaN异质结IMPATT二极管二维结构,利用漂移-扩散模型研究了温度对二...
[期刊论文] 作者：朱巧智,王德君,赵亮,李秀圣,
来源：半导体技术 年份：2008
采用高温热氧化法在4H-SiC(0001)晶面上生成SiO2膜,使用质量分数为1%的HF酸刻蚀该氧化膜,制备出超薄(1～1.5nm)SiO2/SiC界面样品。采用变角X射线光电子能谱(ADXPS)技术对样品进...
[期刊论文] 作者：朱巧智,王德君,赵亮,李秀圣,
来源：第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2008
采用高温热氧化法在4H-SiC(0001)晶面上生成SiO2氧化膜,使用浓度为1％的HF酸刻蚀该氧化膜,制备出超薄(1nm～1.5nm)氧化膜SiO2/SiC界面样品。采用变角X射线光电子能谱技术(ADXPS)对样品进行分析,分析结果显示,高温氧化形成的SiO2/4H-SiC(0001)界面过渡区的成分分布情......
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