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[学位论文] 作者：柴展,
来源： 年份：2006
近年来，多晶硅薄膜广泛应用于薄膜晶体管(TFTs)和薄膜太阳能电池等各种电子器件，受到人们的普遍关注。在多晶硅薄膜的各种制备技术中，热丝化学气相沉积法(HWCVD)以其低沉积温度、高沉积速率和低成本的特点而被广泛采用。 本文首先综述了热丝化学气相沉积法(HWCV......
[期刊论文] 作者：柴展,张贵锋,
来源：太阳能学报 年份：2008
综述了热丝化学气相沉积法（HWCVD），制备多晶硅薄膜的发展过程，着重介绍了这种制备方法在近几年的研究进展，并展望了今后发展趋势和前景。...
[期刊论文] 作者：柴展,张贵锋,王赛,侯晓多,
来源：真空科学与技术学报 年份：2007
采用热丝化学气相沉积法（HWCVD），在很近的热丝与衬底距离（5mm）下沉积多晶硅薄膜，研究了热丝温度、SiH4浓度对多晶硅晶粒取向和晶粒尺寸的影响规律。结果表明：当热丝温度在1400oC～1800......
[期刊论文] 作者：柴展, 栾生, 罗坤, 孔杰, 许圣钰,,
来源：渔业科学进展 年份：2015
本研究从家系水平上比较凡纳滨对虾(Litopenaeus vannamei)保种群体出肉率的差异,评估出肉率性状的选择潜力,寻找替代出肉率的间接选择性状,可为出肉率性状的遗传改良提供技...
[期刊论文] 作者：柴展,徐卫平,侯晓多,张贵锋,
来源：中国材料科技与设备 年份：2006
采用射频等离子体化学气相法在BK7玻璃样品上合成了类金刚石薄膜，基于介电模型对样品的光学透射谱进行计算机拟合，得到类全刚石薄膜的折射率和膜厚等性能指标。研究了甲烷浓度，......
[会议论文] 作者：余涛,吴雪梅,陈静,罗杰馨,柴展,伍青青,
来源：第十七届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 年份：2011
利用双离子束沉积系统在P(100)型Si基上制备了不同Ta含量的Hf1-xTaxO薄膜.其中，Ta/[Hf+Ta]的原子百分比分别为15％、26％、33％、45％、55％。研究结果显示，Ta的掺入可有效提升HfO2的...
[会议论文] 作者：罗杰馨,陈静,伍青青,柴展,余涛,王曦,
来源：第十七届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 年份：2011
由于部分耗尽(PD)SOIMOS器件的浮体效应，在PDSOIMOSFET输出特性曲线中明显表现出记忆效应。在器件I-V特性曲线测试中，正向扫描与反向扫描的差值定义为ID-hygteresis·ID-hysteresis成功表征了背栅偏置对PD SOI MOSFET记忆效应的影响.研究结果显示，对于0.13μm的PD ......
[会议论文] 作者：余涛,陈静,罗杰馨,柴展,伍青青,吴雪梅,
来源：第十七届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 年份：2011
利用双离子束沉积系统在P(100)型Si基上制备了不同Ta含量的Hf1-xTaxO薄膜.其中，Ta/[Hf+Ta]的原子百分比分别为15％、26％、33％、45％、55％。研究结果显示，Ta的掺入可有效提升HfO2的结晶温度，并优化其电学性质。尤其是当Ta含量达到45％时，Hf0.55Ta0.45O样品显示了最大的介电常......
New Method of Total Ionizing Dose Compact Modeling in Partially Depleted Silicon-on-Insulator MOSFET
[期刊论文] 作者：黄建强,何伟伟,陈静,罗杰馨,吕凯,柴展,,
来源：Chinese Physics Letters 年份：2016
On the basis of a detailed discussion of the development of total ionizing dose(TID) effect model,a new commercial-model-independent TID modeling approach for p...
[期刊论文] 作者：罗杰馨,陈静,周建华,伍青青,柴展,余涛,王曦,,
来源：Chinese Physics B 年份：2012
The hysteresis effect in the output characteristics,originating from the floating body effect,has been measured in partially depleted(PD) silicon-on-insulator(S...
[期刊论文] 作者：伍青青,陈静,罗杰馨,吕凯,余涛,柴展,王曦,,
来源：Chinese Physics B 年份：2013
A gate-to-body tunneling current model for silicon-on-insulator(SOI) devices is simulated.As verified by the measured data,the model,considering both gate volta...
Effects of back gate bias on radio-frequency performance in partially depleted silicon-on-inslator n
[期刊论文] 作者：吕凯,陈静,罗杰馨,何伟伟,黄建强,柴展,王曦,,
来源：Chinese Physics B 年份：2015
The effects of back gate bias(BGEs) on radio-frequency(RF) performances in PD SOI n MOSFETs are presented in this paper. Floating body(FB) device, T-gate body-c...
[会议论文] 作者：罗杰馨[1]陈静[2]伍青青[1]柴展[2]余涛[3]王曦[2],
来源：第十七届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 年份：2011
由于部分耗尽(PD)SOIMOS器件的浮体效应，在PDSOIMOSFET输出特性曲线中明显表现出记忆效应。在器件I-V特性曲线测试中，正向扫描与反向扫描的差值定义为ID-hygteresis·ID-hy...
[期刊论文] 作者：李波波,栾生,柴展,隋娟,罗坤,孟宪红,陈宝龙,曹宝祥,刘宁,
来源：水产学报 年份：2020
针对低密度养殖模式下中国明对虾收获体质量和眼球磨损性状的直接遗传效应(DGE)和间接遗传效应(IGE)进行了估计。为了准确估计中国明对虾收获体质量及眼球磨损性状的遗传参数...
[期刊论文] 作者：李波波,栾生,柴展,隋娟,罗坤,孟宪红,陈宝龙,曹宝祥,刘宁,孔杰,
来源：水产学报 年份：2020
针对低密度养殖模式下中国明对虾收获体质量和眼球磨损性状的直接遗传效应(DGE)和间接遗传效应(IGE)进行了估计.为了准确估计中国明对虾收获体质量及眼球磨损性状的遗传参数,...
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