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[期刊论文] 作者：段树坤,
来源：稀有金属 年份：1994
评述了ＭＯＶＰＥ法生长的ＩｎＰ系量子阱结构材料，重点讨论了ＬＰ－ＭＯＶＰＥ法生长ＧａＩｎＡｓ／ＩｎＰ量子阱结构时的组份，阱宽，界面控制及生长中断对材料性能的影响。......
[期刊论文] 作者：段树坤,
来源：低温与特气 年份：1984
外延生长技术是制备半导体材科，特别是半导体器件的重要方法之一，用外延方法可以制作某些结构复杂的半导体器件。半导体材料和器件这种需要促使多种外延技术得到了发展和应用。......
[期刊论文] 作者：段树坤,
来源：语文课内外 年份：2021
中学信息技术教育教学与应用研究工作正在有条不紊地推进。高中信息技术教师针对学生的实际需求来进行教学方案的调整和教学内容的创新,并且大胆运用翻转课堂,才能提高整体的...
[期刊论文] 作者：段树坤,陆大成,
来源：半导体学报 年份：1996
本文基于热力学平衡计算，首次给出了ＤＭｚ和Ｈ２Ｓｅ为源，ＭＯＶＰＥ生长ＺｎＳｅ迷仃图，语言中讨论了ＺｎＳｅ单一凝聚相区的范围，以及可能出现ＺｎＳｅ（ｓ）＋Ｚｎ（ｓ）或ＺｎＳｅ（ｓ）＋Ｓｅ（１）两种双凝聚相区的条件。......
[期刊论文] 作者：陆大成,段树坤,
来源：半导体学报 年份：2001
提出一个以TMGa,TMAl,TMIn和MH3为源，用MOVPE方法在生长GaxAlyIn1-x-yN四元合金的准热力学模型。该模型假设四元合金是由氨和Ⅲ族元素之间反应合成的，其特别是考虑了NH3的分解...
[期刊论文] 作者：段树坤,陆大成,
来源：半导体学报 年份：1997
本文基于准热力学平衡模型对以ＴＭＧａ和ＮＨ３为源的ＭＯＶＰＥ生长ＧａＮ的过程进行了分析，并在此基础上计算了ＭＯＶＰＥ生长ＧａＮ的相图，ＧａＮ的ＭＯＶＰＥ相图由ＧａＮ（ｓ）单聚集相区，ＧａＮ（ｓ）＋Ｇａ（ｌ）双凝聚相区，表面会形成Ｇａ滴的两个腐蚀区构成，本文着重讨论了生长温......
[期刊论文] 作者：陆大成,段树坤,
来源：发光学报 年份：2001
本文提出了一个MOVPE生长GaxAlyIn1-x -yN的膺热力学分析模型。假设此合金是由Ⅲ族元素与NH3 之间反应生成的。为了计算氨分解的影响 ,在模型中引入了氨分解率的概念 ,质量守...
[期刊论文] 作者：陆大成,段树坤,
来源：发光学报 年份：2001
本文提出了一个MOVPE生长GaxAlyIn1-x-yN的膺热力学分析模型.假设此合金是由Ⅲ族元素与NH3之间反应生成的.为了计算氨分解的影响,在模型中引入了氨分解率的概念,质量守恒方程...
[会议论文] 作者：陆大成,段树坤,
来源：海峡两岸第七届照明科技与营销研讨会 年份：2000
进入90年代以来，化合物半导体量子阱器件的成熟，金属有机物化学气相淀积技术(MOCVD)的进步，基于InGaAlP系高亮度和超高亮度红、黄光LED相继了现，LED应用领域大为扩大。90年代中期...
[会议论文] 作者：段树坤,李晶,
来源：第四届全国固体薄膜学术会议 年份：1994
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[会议论文] 作者：陆大成,段树坤,
来源：第六届全国固体薄膜学术会议 年份：1998
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[期刊论文] 作者：陆大成,段树坤,
来源：半导体学报 年份：1999
A quasi|thermodynamic model of MOVPE growth of Al x Ga 1- x N alloy using TMGa, TMAl and ammonia as sources has been proposed. In this improved model...
[期刊论文] 作者：陆大成,段树坤,
来源：半导体学报 年份：2000
A quasi|thermodynamic model of MOVPE growth of In- x Ga-{1- x }N alloys has been proposed with TMGa, TMIn and ammonia as source materials. In this impro...
[期刊论文] 作者：陆大成,段树坤,
来源：半导体学报 年份：2000
A quasi|thermodynamic model of MOVPE growth of In- x Al 1- x N alloy with TMAl,TMIn and ammonia as sources has been proposed.In this improved model,the...
[会议论文] 作者：段树坤,王玉田,
来源：第五届全国固体薄膜学术会议 年份：1996
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[会议论文] 作者：陆大成,段树坤,
来源：中国有色金属学会第八届全国MOCVD学术会议 年份：2003
本文提出了一种改进的准热力学模型.计算结果与Clur等人、Matloubianh等人和Asif Kuhn等人的实验结果吻合.从改进的准热力学模型的计算结果可以看出,在输入TMGa和TMAl摩尔流量不变的情况下,AlGaN的组分不仅与生长温度、V/Ⅲ比、反应室压力、运载气体中N/H比等实......
[期刊论文] 作者：滕学恭,段树坤,
来源：人工晶体学报 年份：2000
GaN及其合金具有大的带隙 ,高的热导和强的化学键 ,是制作短波长光电器件和高温电子器件重要的半导体材料 ,受到人们很大的关注。近年来 ,GaN器件已取得了快速进展 ,LED已经...
[期刊论文] 作者：段树坤,熊飞克,
来源：半导体学报 年份：1991
本文报道用低压金属有机化合物汽相外延(LP-MOVPE) 的方法生长了晶格匹配的Ga_(1-x)In_4As/InP 量子阱结构材料.X光双晶衍射和透射电子显微镜测量表明多量子阱结构的周期性和...
[期刊论文] 作者：王德煌,段树坤,
来源：北京大学学报：自然科学版 年份：1992
本文报道研究MOVPE技术生长微米量级不掺杂薄GaAs层的线偏振光吸收系数电流感生变化(△α)和折射串电流感生变化(△n)的实验结果。发现通有电流的薄GaAs层内△α和△n值随光...
[期刊论文] 作者：王德煌,段树坤,
来源：北京大学学报：自然科学版 年份：1991
本文报道MOVPE生长不掺杂GaAs薄层对线偏振光和自然光的透射特性,详细介绍注入电流对光透射特性的影响。...
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