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[学位论文] 作者：汪建广,,
来源：河南师范大学 年份：2004
用紧束缚下的Muffin-tin轨道线性组合( TB―LMTO)方法对Au在Si(001)表面以及Fe在Au钝化的Si(001)表面化学吸附的电子结构和性质进行了研究。在研究Au在Si(001)表面的化学吸附...
[会议论文] 作者：汪建广,
来源：第四届全国计算原子与分子物理学术会议 年份：2012
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[期刊论文] 作者：马丽,危书义,汪建广,
来源：原子核物理评论 年份：2002
用TB-LMTO方法研究单层的S原子在理想的GaAs (100) 表面的化学吸附, 对GaAs(100)表面是Ga-和As-中断两种情况分别进行考虑. 计算了S原子在不同位置的吸附能、吸附体系与清洁...
[期刊论文] 作者：危书义,汪建广,马丽,
来源：原子与分子物理学报 年份：2003
近年来,在半导体衬底(如Si, GaAs)上生长磁性薄膜,在基础研究及应用领域引起人们的极大兴趣.然而,由于半导体元素(如As, Ga,Si等)与磁性薄膜层的相互扩散,很难得到高质量的薄...
[期刊论文] 作者：危书义,马丽,戴现起,汪建广,
来源：河南师范大学学报：自然科学版 年份：2002
用TB - LMTO方法研究单层Mn原子在理想的Si(100)表面的化学吸附.计算了Mn原子在不同位置的吸附能.结果表明,Mn原子在C位(四重位)吸附最稳定,在Mn/Si(100)界面存在Mn、Si混合...
[期刊论文] 作者：危书义,夏从新,汪建广,闫玉丽,
来源：河南师范大学学报：自然科学版 年份：2004
近年来,宽禁带直接带隙半导体异质结构InxGa1-xN /GaN由于在电子及光电子器件方面的应用而备受关注,如高亮度的兰、绿色发光二极管,激光二极管等.由于存在相分离,在InxGa1-xN...
[期刊论文] 作者：危书义,闫玉丽,王天兴,夏从新,汪建广,
来源：半导体学报 年份：2004
运用第一性原理下的LMTO-ASA方法研究稀磁半导体(Ga1-xFex)As(x=1，1／2，1／4和1／8)的电子结构、磁性及其稳定性，计算了Fe掺杂浓度的变化对(Ga1-xFex)As的磁性及稳定性的影响。...
[期刊论文] 作者：危书义,闫玉丽,王天兴,夏从新,汪建广,
来源：半导体学报 年份：2004
运用第一性原理下的 L MTO- ASA方法研究稀磁半导体 (Ga1 - x Fex) As(x=1,1/ 2 ,1/ 4和 1/ 8)的电子结构、磁性及其稳定性 .计算了 Fe掺杂浓度的变化对 (Ga1 - x Fex) As的...
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