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[学位论文] 作者：汪德波,,
来源： 年份：2015
功率MOSFET是功率电子系统中一个关键的元器件,它决定着控制系统的效率与成本。世界上至少50%的电力系统是由功率半导体器件作为控制。其在消费电子、工业电子、医疗电子、航...
[期刊论文] 作者：汪德波,冯全源,,
来源：微电子学 年份：2015
在多浮空场环理论的基础上,采用深阱多浮空场环技术,在200μm的终端长度上实现了一种击穿电压为931V的VDMOS终端保护环结构。此终端硅表面各环电场均匀,最大表面电场强度为2....
[期刊论文] 作者：汪德波,冯全源,陈晓培,,
来源：电子器件 年份：2015
设计了一款55V N沟道沟槽型功率器件。通过对元胞与边端进行理论分析,结合实际工艺,对元胞与边端进行合理优化。通过对流片测试数据的分析,最终实现击穿电压为69.562V、阈值...
[期刊论文] 作者：汪德波,冯全源,陈晓培,,
来源：电子元件与材料 年份：2014
对一款700 V功率场效应管失效芯片进行亮点分析,并通过TCAD软件进行数值仿真验证失效原因。最后对失效管的终端进行了改进设计,在215μm的终端长度上实现了779 V的耐压。结果...
[期刊论文] 作者：汪德波,冯全源,陈晓培,,
来源：微电子学 年份：2014
对一款75V功率场效应管失效芯片进行了分析。通过TCAD软件进行数值仿真,验证失效原因。在终端长度不变的前提下,获得具有两个场限环的终端结构,基本满足电场可靠性小于2.5×1...
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