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[期刊论文] 作者：王茂俊,
来源：新课程教学:电子版 年份：2019
绘本教学是小学低年级语文教学的重要补充,可以为小学生未来的阅读教学奠定基础。本文对文体意识下的小学语文绘本教学进行了具体讨论。...
[学位论文] 作者：王茂俊,
来源：北京大学 年份：2007
AlGaN/GaN宽禁带半导体异质结构体系是目前发展高温、高频、大功率电子器件的最重要也是最基本的结构，深受国际上的关注。因此，AlGaN/GaN异质结构材料与器件的研究已成为当前研...
[期刊论文] 作者：王茂俊,
来源：语文世界(小学版) 年份：2021
语文是人文学科的代表，也是感情内容最为丰富的一门学科，教师要重视学生在学习中的心理变化，重视学生感情态度上的变化，为培养学生的探究能力做好准备。在教学开始的时候，教师要用最快的速度激发学生浓厚的学习兴趣，将学生带入教师所营造的学习氛围，使学生产生主动学习......
[期刊论文] 作者：王茂俊,明磊,,
来源：唯实 年份：2008
农村养老保险制度建设只有处理好谋划与规划、主导与主体、试点与推广、目标与模式、经济与社会、输血与造血、长远与当前等七个关系，才能使这项制度符合国情，成为和谐社会的一......
[期刊论文] 作者：王茂俊 明 磊,
来源：唯实 年份：2008
摘 要：农村养老保险制度建设只有处理好谋划与规划、主导与主体、试点与推广、目标与模式、经济与社会、输血与造血、长远与当前等七个关系，才能使这项制度符合国情，成为和谐社会的一个组成部分。 关键词：农村养老保险；制度建设；关系 中图分类号：F840.67 文献标......
[期刊论文] 作者：孙芃芃,王茂俊,孙宜志,
来源：大陆桥视野 年份：2019
党的十九大报告提出,乡村振兴战略是新时代、新背景、新条件下解决"三农"问题的战略举措。"培养造就一支懂农业、爱农村、爱农民的‘三农’工作队伍",既是立足当前农业农村改...
[期刊论文] 作者：王茂俊,胡学峰,孙芃芃,,
来源：中国人才 年份：2004
近年来,江苏连云港市始终将留学回国人员的服务工作作为人才公共服务体系的重要组成部分,不断建立健全服务机制,为留学回国人员来连创新创业营造了良好的环境。人才优先发展...
[期刊论文] 作者：沈波,唐宁,杨学林,王茂俊,许福军,王新强,秦志新,,
来源：物理学进展 年份：2017
GaN基宽禁带半导体异质结构具有非常强的极化效应、高饱和电子漂移速度、高击穿场强、高于室温的居里转变温度、和较强的自旋轨道耦合效应等优越的物理性质，是发展高功率微波...
[会议论文] 作者：林书勋,王茂俊,王野,张川,文正,王金延,郝一龙,
来源：2013年全国博士生学术论坛——电子薄膜与集成器件 年份：2013
基于GaN材料的高电子迁移率晶体管以其较高的击穿电压、较高的电子迁移率和较大的禁带宽度正成为下一代电力电子功率开关器件的有力竞争者.本文报道了一种基于氧化-湿法腐蚀...
[期刊论文] 作者：王茂俊,沈波,王彦,黄森,许福军,许谏,杨志坚,张国义,
来源：半导体学报 年份：2007
通过高温Hall测量研究了GaN和AlxGa1-xN/GaN异质结从室温到500℃高温下的输运性质.实验发现GaN背景载流子浓度随着温度的升高而升高,载流子浓度变化的幅度和GaN的位错密度存...
[会议论文] 作者：王茂俊;沈波;王彦;黄森;许福军;许谏;杨志坚;张国义;,
来源：第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2006
通过高温Hall测量研究了GaN和AlxGa1-xN/GaN异质结从室温到500℃高温下的输运性质.实验发现GaN背景载流子浓度随着温度的升高而升高,载流子浓度变化的幅度和GaN的位错密度存...
[会议论文] 作者：王野,王茂俊,张川,文正,郝一龙,吴文刚,陈敬,沈波,
来源：第13届全国MOCVD学术会议 年份：2014
增强型AlGaN/GaN HEMT在高效高频功率开关领域有着巨大的应用潜力[1],成为国内外研究的热点.本文报道了基于硅衬底的增强型GaN MOSFET的研制以及器件性能.图1是器件的截面示...
[期刊论文] 作者：蔡金宝,王金延,刘洋,徐哲,王茂俊,于民,解冰,吴文刚,,
来源：Journal of Semiconductors 年份：2013
A novel wet etching method for AlGaN/GaN heterojunction structures is proposed using thermal oxidation f ollowed by wet etching in KOH solution.It is found that...
[期刊论文] 作者：唐宁,沈波,王茂俊,杨志坚,徐科,张国义,桂永胜,朱博,郭少,
来源：半导体学报 年份：2006
在低温和强磁场下，通过磁输运测量研究了不同Al组分调制掺杂AlxGa1-xN／GaN异质结二维电子气（2DEG）的磁电阻振荡现象．观察到低Al组分异质结中的2DEG有较低的浓度和较高的迁移率．...
[期刊论文] 作者：唐宁,沈波,王茂俊,杨志坚,徐科,张国义,桂永胜,朱博,郭少,
来源：半导体学报 年份：2004
在低温和强磁场下,通过磁输运测量研究了不同Al组分调制掺杂AlxGa1-xN/GaN异质结二维电子气(2DEG)的磁电阻振荡现象.观察到低Al组分异质结中的2DEG有较低的浓度和较高的迁移...
[期刊论文] 作者：许福军,沈波,王茂俊,许谏,苗振林,杨志坚,秦志新,张国义,,
来源：半导体学报 年份：2007
采用纳米压痕方法，研究了AlN/spphire模板上的高Al组分AlxGa1-xN薄膜的力学性质，特别是弹性-塑性转变行为.研究表明，AlxGa1-xN薄膜的杨氏模量E随着Al组分的增加而增大，薄膜中产生...
[期刊论文] 作者：许谏,沈波,许福军,苗振林,王茂俊,黄森,鲁麟,潘尧波,杨志,
来源：半导体学报 年份：2007
采用了MOCVD生长技术来获得高阻GaN,发现GaN的方块电阻会随着成核层退火压力的降低而迅速升高.当成核层退火压力降到75torr时,形成了高阻GaN,方块电阻达到1011Ω/□以上.原子...
,Pt/Au Schottky Contacts to Modulation-Doped AlxGa1-xN/GaN Heterostructures Using Pre-deposition Sur
[期刊论文] 作者：刘杰,沈波,王茂俊,周玉刚,郑泽伟,张荣,施毅,郑有炓,T.Someya,Y.Arakawa,
来源：中国物理快报（英文版） 年份：2002
Pt/Au Schottky contacts were fabricated on modulation-doped Alo.22GaNo. 7s/GaN heterostructures. Some dif-ferent pre-deposition surface treatments were used to...
[期刊论文] 作者：杨振,王金延,徐哲,李晓平,张波,王茂俊,于民,张进城,马晓华,李用兵,,
来源：Journal of Semiconductors 年份：2014
Semi-on DC stress experiments were conducted on AlGaN/GaN high electron mobility transistors(HEMTs) to find the degradation mechanisms during stress. A positive...
[期刊论文] 作者：唐宁,沈波,王茂俊,杨志坚,徐科,张国义,桂永胜,朱博,郭少令,褚君浩,,
来源：半导体学报 年份：2006
在低温和强磁场下,通过磁输运测量研究了不同Al组分调制掺杂Al_xGa_(1-x)N/GaN异质结二维电子气(2DEG)的磁电阻振荡现象.观察到低Al组分异质结中的2DEG有较低的浓度和较高的...
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