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[期刊论文] 作者：鲁净,王燕,祃龙,余志平,
来源：半导体学报 年份：2007
为得到GaN HEMT器件的小信号等效电路，在传统的GaAs HEMT小信号模型的基础上引入了反应栅漏电流的反馈电阻RIgs，RIgd，并在此基础上引入分布式设计对小信号等效电路模型进一步改...
[期刊论文] 作者：祃龙,王燕,余志平,田立林,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2005
实现了一维Poisson-Schrodinger方程的自洽求解,在此基础上求出了AlGaN/GaN异质结导带结构和二维电子气分布.计算结果表明极化效应是形成高浓度电子面密度的主要因素.研究了A...
[期刊论文] 作者：祃龙,王燕,余志平,田立林,
来源：半导体学报 年份：2004
在考虑AlGaN／GaN异质结中的压电极化和自发极化效应的基础上，自洽求解了垂直于沟道方向的薛定谔方程和泊松方程．通过模拟计算，研究了AlGaN／GaN HEMT器件掺杂层Al的组分、厚度、施......
[会议论文] 作者：薛丽君,夏洋,王燕,刘明,祃龙,张立辉,
来源：第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议 年份：2004
本文通过自洽求解Poisson-Schrodinger方程,实现了对AlGaN/GaN HEMT的二维静态模拟,详细阐述了极化效应及界面极化电荷的数值方法.基于模拟结果,文中给出了异质结导带结构、二维电子气分布和电场特性,并对其做了简要分析与讨论.......
[期刊论文] 作者：薛丽君,刘明,王燕,祃龙,鲁净,谢常青,夏洋,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2004
采用泊松方程一薛定谔方程一流体力学方程组自洽求解的方法,对偏栅AlGaN/GaN HEMT器件的电学特性进行了二维模拟.通过与传统正栅器件的模拟结果对比分析,可以看出,偏栅结构除...
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