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在考虑AlGaN／GaN异质结中的压电极化和自发极化效应的基础上，自洽求解了垂直于沟道方向的薛定谔方程和泊松方程．通过模拟计算，研究了AlGaN／GaN HEMT器件掺杂层Al的组分、厚度、施主掺杂浓度以及栅偏压对二维电子气特性的影响．用准二维物理模型计算了AlGaN／Ga NHEMT器件的输出特性，给出了相应的饱和电压和阈值电压，并对计算结果和AlGaN／Ga NHEMT器件的结构优化进行了分析．