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[学位论文] 作者：聂竹华,
来源：合肥工业大学 年份：2011
VO2作为一种热敏功能材料,具有半导体-金属相变特性,在68℃会发生由单斜结构半导体相向金红石结构金属相的可逆转变。相变时的电阻率、磁化率、对光透射率和反射率等都会发生...
[期刊论文] 作者：储汉奇,李合琴,都智,聂竹华,,
来源：真空 年份：2011
采用射频反应磁控溅射法在中国低活化马氏体(CLAM)不锈钢表面制备了单层A12O3、SiC、W薄膜以及SiC/A12O3、W/A12O3双层膜。对所制备的薄膜进行了XRD结构分析、AFM表面形貌测...
[期刊论文] 作者：李合琴,都智,储汉奇,聂竹华,,
来源：材料热处理学报 年份：2012
用磁控溅射法在奥氏体不锈钢基片上制备了SiC单层膜和Ti/TiN双层膜以及Ti/TiN/SiC功能梯度薄膜。采用XRD和显微硬度计对薄膜的结晶质量和硬度进行表征;用AFM和SEM对薄膜的表...
[期刊论文] 作者：储汉奇,李合琴,聂竹华,都智,朱景超,,
来源：真空与低温 年份：2010
以高纯铝为靶材,在不同氧氩比例下,采用直流反应磁控溅射法制备了Al2O3薄膜。用F-4500型荧光分光光度计测量其荧光光谱,观察到416 nm和438 nm处的光致发光发射谱（PL）,是由于氧...
[期刊论文] 作者：聂竹华,李合琴,储汉奇,都智,宋泽润,
来源：红外 年份：2010
以高纯氧和高纯氩为气源,通过改变薄膜的制备工艺,用直流磁控溅射法在玻璃和单晶硅片上制备了VO_x薄膜,并对其进行了退火处理。借助LCR测试仪和X射线衍射仪,对VO_x薄膜的电阻...
[期刊论文] 作者：都智,李合琴,聂竹华,储汉奇,朱景超,,
来源：理化检验(物理分册) 年份：2010
首先采用射频磁控溅射法在单晶Si（100）衬底上沉积制备了SiC薄膜,然后将所制备的薄膜试样分别在600,800和1 000℃氩气氛中退火120 min;采用X射线衍射仪和红外吸收光谱仪分析了薄...
[期刊论文] 作者：聂竹华,李合琴,储汉奇,都智,宋泽润,
来源：红外 年份：2004
以高纯氧和高纯氩为气源,通过改变薄膜的制备工艺,用直流磁控溅射法在玻璃和单晶硅片上制备了VOx薄膜,并对其进行了退火处理.借助LCR测试仪和X射线衍射仪,对VOx薄膜的电阻温...
[期刊论文] 作者：聂竹华,李合琴,都智,储汉奇,宋泽润,,
来源：真空 年份：2011
用直流/射频反应磁控共溅射法分别在玻璃和单晶硅片基底上制备VOx薄膜和W掺杂VOx薄膜,经退火后,对薄膜进行电阻-温度特性、XRD、表面形貌等测试.结果表明:当溅射气压为1.5 Pa...
[期刊论文] 作者：聂竹华,李合琴,都智,储汉奇,宋泽润,,
来源：真空 年份：2011
用直流/射频反应磁控共溅射法分别在玻璃和单晶硅片基底上制备VOX薄膜和W掺杂VOX薄膜,经退火后,对薄膜进行电阻-温度特性、XRD、表面形貌等测试。结果表明:当溅射气压为1.5 P...
[期刊论文] 作者：吴国东,乔律华,韩海滨,王彬,张少芬,聂竹华,蔡云牧,王贺卫,
来源：液晶与显示 年份：2021
本文基于飞秒激光烧蚀机制建立并通过实验验证了ITO区黑化法修复亮点的理论模型,分析了各个工艺参数对修复效果的影响,为亮点不良修复成功率的提升奠定基础。首先通过一系列...
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