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[期刊论文] 作者：金维新,孟宪光,尤大伟,胥兴才,
来源：半导体学报 年份：1983
本文对反应离子束刻蚀及掩模转换技术作了研究,结果表明反应气体O_2或CF_4压力变化对 Au、Cr、Si、SiO_2、Al等各种材料的刻蚀率影响是不同的,金和铬的刻蚀率之比可达16,金和...
[期刊论文] 作者：韩阶平,吕秀英,杨占坤,胥兴才,
来源：半导体学报 年份：1980
在硅器件和集成电路生产中,广泛采用金属膜(如Al,Au等)做电接触的互连线,常规的刻蚀方法是采用化学溶液腐蚀,叫湿法.本文报道了一种新的金属膜干法刻蚀技术——气相刻蚀.图1...
[期刊论文] 作者：谢常青,叶甜春,陈大鹏,李兵,胥兴才,
来源：半导体情报 年份：2001
用束衍生法研究了深亚微米同步辐射x射线光刻中掩模吸收体的光导波效应,并对x射线光刻后的光刻胶剖面进行了理论计算.采用面向对象技术,研制了一个取名为XLLS1.0的模拟软件....
[期刊论文] 作者：谢常青,叶甜春,陈大鹏,赵玲莉,胥兴才,
来源：半导体情报 年份：2000
报道了我们制作深亚微米 x射线掩模的工艺和同步辐射 x射线曝光工艺 ,并报道了我们在北京同步辐射装置 (BSRF) 3B1 A光刻束线所获得的深亚微米 x射线光刻图形的实验结果We...
[会议论文] 作者：陈朝晖,叶甜春,胥兴才,李兵,陈大鹏,胥俊红,
来源：第十一届全国电子束、离子束、光子束学术年会 年份：2001
掩模制备是X射线光刻的核心技术,电路设计图形的精确加工和曝光后高反差的形成是掩模制备的最终要求和目标.本文作者选用了Ta作吸收体材料,通过实验和优化磁控等离子体溅射及...
[会议论文] 作者：陈大鹏,叶甜春,李兵,韩劲东,赵玲莉,胥兴才,
来源：第十一届全国电子束、离子束、光子束学术年会 年份：2001
本文报到了采用LPCVD方法制备碳化硅薄膜的初步结果,经XRD分析和背腐蚀成膜实验,获得了面积达20×30mm的薄膜窗口.此种方法可用于X射线光刻掩模衬基制备....
[期刊论文] 作者：陈大鹏,叶甜春,谢常青,李兵,赵玲莉,韩敬东,胥兴才,
来源：半导体学报 年份：2001
报道了在采用 L PCVD法制备的富硅 Si Nx 膜中发现的部分晶化的硅镶嵌微结构 .视生长条件和工艺不同 ,该结构的尺度范围从数十到几百纳米不等 .利用不同条件下生长的 Si Nx...
[会议论文] 作者：谢常青,陈大鹏,李兵,孙加兴,赵玲利,胥兴才,叶甜春,
来源：第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2002
本文首先简要介绍了国际上X射线光刻技术在GaAs器件及电路制造中的研究进展情况,再对目前国内X射线光刻技术的研究状况进行了较为详细的介绍,其中重点论述了深亚微米X射线掩...
[会议论文] 作者：董立军,陈大鹏,韩敬东,谢常青,李兵,赵铃莉,胥兴才,
来源：第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2002
本文报道了在高温下采用LPCVD方法制备低应力,高透光率氮化硅薄膜的工艺过程.获得的薄膜在低应力,高透光率,以及成品率和重复性方面都有大幅度的提高.可广泛应用于X射线光刻掩模制造,微细加工等方面.......
[会议论文] 作者：杨清华,叶甜春,陈大鹏,李兵,赵伶俐,胥兴才,刘明,陈宝钦,
来源：第十二届全国电子束、离子束和光子束学术年会 年份：2003
电子束散射角限制投影光刻(SCALPEL—Scattering with Angular Limitation Electron Projection Lithography)技术是下一代光刻技术的主要候选者,其中掩模研制是其关键技术之...
[会议论文] 作者：李兵;刘辉;陈大鹏;谢常青;王玮冰;王冠亚;胥兴才;陈朝晖;叶甜春;,
来源：第十二届全国电子束、离子束和光子束学术年会 年份：2003
电感耦合等离子体干法刻蚀技术(ICP)以其高密度高能量和刻蚀各向异性的特点越来越多的在微细加工领域被应用,微电子中心凭借在设备和工艺研发上的优势,在该领域进行了许多深...
[会议论文] 作者：谢常青,叶甜春,陈大鹏,李兵,赵玲利,胥兴才,胥俊红,韩劲东,
来源：第十一届全国电子束、离子束、光子束学术年会 年份：2001
目前看来,点光源X射线光刻技术是X射线光刻技术的重要发展方向.点光源X射线光刻技术表现出同步辐射X射线光刻技术不同的许多特性,如单色光、半阴影模糊、对准技术,等等.本文...
[会议论文] 作者：谢常青;叶甜春;陈大鹏;李兵;赵玲利;胥兴才;韩敬东;胥俊红;,
来源：第十一届全国电子束、离子束、光子束学术年会 年份：2001
模拟技术在光刻技术的发展过程中一直起着非常重要的作用.本文介绍我们采用束衍生法及快速傅里叶变换相结合的方法来研究X射线掩模中吸收体的光导波效应,对光刻胶表面的空间...
[期刊论文] 作者：叶甜春,谢常青,李兵,陈大鹏,陈朝晖,赵玲莉,胥兴才,刘训春,张绵,赵静,
来源：功能材料与器件学报 年份：2000
对同步辐射X射线光刻及在GaAsPHEMT器件制作中的应用进行了研究,并制作出栅长0.15μm的AlGaAs/InGaAs/GaAsPHEMT晶体管。研究结果表明,X射线光刻在剥离图形及T型栅结构制作工...
[会议论文] 作者：孙加兴,申云琴,叶甜春,谢常青,李兵,陈朝晖,赵玲利,陈大鹏,胥兴才,刘刚,
来源：第十一届全国电子束、离子束、光子束学术年会 年份：2001
现代应用需求使半导体器件向高频高速方向发展,PHEMT以其高频高速低噪声受到人们重视而发展迅速.在PHEMT的制作工艺中,栅线条的制作是至关重要而又极为困难的.我们采用X射线...
[会议论文] 作者：孙加兴,叶甜春,谢常青,申云琴,李兵,陈朝晖,赵玲利,陈大鹏,胥兴才,刘刚,
来源：第十一届全国电子束、离子束、光子束学术年会 年份：2001
现代应用需求使半导体器件向高频高速方向发展,PHEMT以其高频高速低噪声受到人们重视而发展迅速.在PHEMT的制作工艺中,栅线条的制作是至关重要而又极为困难的.我们采用X射线多层介质工艺制作T型栅,其形貌清晰,线条基本可控,为MMIC制作提供了可靠的工艺手段.......
[会议论文] 作者：杨清华,叶甜春,李兵,刘明,陈宝钦,赵伶俐,陈大鹏,胥兴才,吴桂君,彭开武,张福安,
来源：第十一届全国电子束、离子束、光子束学术年会 年份：2001
本文作者对电子束散射角限制投影光刻(SCALPEL—Scattering with Angular Limitation Electron Projection Lithography)技术中的掩模进行了研究和实验,研制出了0.1微米线宽...
[会议论文] 作者：叶甜春,谢常青,陈大鹏,李兵,胥兴才,赵玲莉,韩敬东,胥俊鸿,陈朝晖,孙加兴,杨清华,
来源：第十一届全国电子束、离子束、光子束学术年会 年份：2001
作者对同步辐射X射线光刻技术,包括掩膜、对准技术、光刻工艺及模拟、器件与电器制作进行了研究,已建立起一套较为完整的深亚微米X射线光刻技术,并研制出0.15微米的GaAs PHEM...
[期刊论文] 作者：陈大鹏,叶甜春,谢常青,李兵,董立军,胥兴才,赵玪莉,韩敬东,彭良强,伊福庭,韩勇,张菊芳,
来源：核技术 年份：2002
光刻技术是推动集成电路制造业不断向前发展的关键技术 ,X射线光刻技术是下一代光刻技术的一种 ,具有产业化的应用前景。掩模技术是X射线光刻技术的难点 ,本文报告了国内利用...
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