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[期刊论文] 作者：苏九令,常旭,
来源：半导体学报 年份：1996
多晶硅发射区双极晶体管的低温（７７Ｋ）电流增益模型建立在理想掺杂近似的基础上，本文由基区电子电流Ｊｎ和发射区空穴电流Ｊｐ出发，根据实际掺杂情况中的近似高斯分布，分析了理想掺杂的假对电流......
[期刊论文] 作者：侯应,苏九令,
来源：应用科学学报 年份：1989
转移电子器件是一种常用的微波固体功率源,制备转移电子器件常用的材料是n-GaAs单晶,目前国内对n-GaAs单晶质量的在线检测主要测量它的电学参数.但是在器件生产中发现,即...
[期刊论文] 作者：苏九令,杨清河,
来源：复旦学报(自然科学版) 年份：1985
测定磷砷化镓(GaAs_(1-y)P_x)外延层固溶体组分参数常用的方法是通过测定其禁带宽度,然后利用其组分参数与禁带宽度的关系曲线或经验公式得到组分参数的数值.本文是利用被测...
[期刊论文] 作者：包宗明,苏九令,
来源：物理学报 年份：1980
本文指出在表面产生速度可以看作常数的情况下,用线性电压扫描MOS电容测硅的产生寿命和表面产生速度。测线性扫描饱和电容随扫描速度的变化,可以较方便地求出产生寿命和表面...
[期刊论文] 作者：张秀淼,包宗明,苏九令,
来源：半导体学报 年份：2004
本文指出由MOS结构栅电流和高频电容对线性电压扫描的瞬态响应,可同时测定产生寿命和表面产生速度.对一些样品进行了测试,并与饱和电容法和 dC/dV法作了比较.This paper po...
[期刊论文] 作者：侯庄,苏九令,王昌平,屈逢源,
来源：应用科学学报 年份：1989
转移电子器件是一种常用的微波固体功率源,制备转移电子器件常用的材料是n-GaAs单晶,目前国内对n-GaAs单晶质量的在线检测主要测量它的电学参数.但是在器件生产中发现,即使用...
[期刊论文] 作者：张冠生,唐厚舜,黄杜森,苏九令,余夕同,
来源：半导体技术 年份：1983
本文实验装置使用1.5～2MHz高频振荡器,在低氧压下辉光放电产生氧等离子体对GaAs进行自体氧化。观察了高频电场、阳极偏压、加热温度等条件对氧化速度、氧化物均匀性等的影响,...
[期刊论文] 作者：王昌平,刘彬,吴晓毅,苏九令,缪伯才,钱佑华,
来源：红外研究 年份：2004
随着LSI、大功率器件、红外探测器等器件的发展,元件制造技术的提高,对Si材料提出了愈来愈高的质量要求,尤其是Si材料中的微量杂质,因为它的含量及其浓度分布直接影响元件的...
[期刊论文] 作者：苏九令,徐国来,周正利,沈杰,施密清,赵惠荣,
来源：半导体杂志 年份：1994
用化学腐蚀法观察到，器件工艺过程中的机械应力和效应力使碲镉汞（ＨｇＣｄＴｅ）晶片的位错大幅度增殖，汞气氛下低温热处理（２２０℃）使（ＨｇＣｄＴｅ）体材料的位错密度增殖３～４倍，并分别对实验室结果进行了分析讨论．......
[期刊论文] 作者：黄惠玲,许寿祥,邱兴镛,张秀淼,苏九令,包宗明,
来源：半导体学报 年份：1982
CMOS电路中存在着pnpn寄生可控硅结构,见图1(a),它比实际可控硅的结构多两个分流电阻Rn和R_p,见图1(b)、(c).若寄生npn和pnp晶体管的电流增益分别为β_(npn)和β_(pnp),这时...
[期刊论文] 作者：苏九令,包宗明,王昌平,陆桂华,倪玫,吴树恩,黄正义,杨中柱,陈肯,
来源：红外研究 年份：2004
本文报道用光声谱法在近红外波段(0.8～1.6μm)研究硅单晶片中~(31)P~+离子注入的效应,得到了低剂量情况下的结果,并认为有希望成为硅中离子注入剂量的检测方法。低注入剂量情...
[期刊论文] 作者：苏九令,包宗明,王昌平,陆桂华,倪玫,陈肯,杨中柱,黄正义,吴树恩,
来源：半导体学报 年份：1985
本文报道用光声谱法在近红外波段研究硅单晶中~(31)P~+离子注入效应,得到了注入剂量为10~(12)cm~(-2)-10~(15)cm~(-2)范围内的光声信号幅值随注入剂量变化的关系.对于先经退...
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