电子辐照消除CMOS电路自锁效应的探讨

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:fei000chong
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CMOS电路中存在着pnpn寄生可控硅结构,见图1(a),它比实际可控硅的结构多两个分流电阻Rn和R_p,见图1(b)、(c).若寄生npn和pnp晶体管的电流增益分别为β_(npn)和β_(pnp),这时导通条件便由理想可控硅的β_(npn)·β_(pnp)=1变为β_(npn)·β_(pnp)= CMOS circuit pnpn parasitic thyristor structure exists, shown in Figure 1 (a), it is more than the actual structure of the SCR two shunt resistors Rn and R_p, see Figure 1 (b), (c). If the parasitic npn And the current gain of the pnp transistor are respectively β_ (npn) and β_ (pnp), and the on-condition is changed from β_ (npn) · β_ (pnp) = 1 of the ideal thyristor to β_ (npn) · β_ pnp) =
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