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[会议论文] 作者：萧继荣,
来源：1989年全国碲镉汞技术交流会 年份：1989
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[期刊论文] 作者：萧继荣,
来源：红外研究 年份：1984
通常由饱和区的霍耳系数和电阻率计算P型HgCdTe样品的空穴浓度和迁移率: R=3π/8·1/ep, (1) σ=peμ_(ho) (2)对在液氮温度下工作的元件来说,77K的电学参数是很重要的。但...
[期刊论文] 作者：萧继荣,林杏朝,
来源：红外技术 年份：1998
通过把迁移率的实测值与影响ＨｇＣｄＴｅ晶体电子迁移率的主要散射机构进行对比，得出结论：位错是ＨｇＣｄＴｅ晶体低温电子迁移率降低的主要原因。...
[期刊论文] 作者：萧继荣,唐荷珍,
来源：红外研究(A辑) 年份：1986
由于Hg空位的作用,高温下平衡的HgCdTe晶体是P型的。P型样品经低温处理后,转变为N型。在经各种不同条件处理的样品中,选择各种组分、结构较好、晶粒大的样品,在表面做电极,...
[期刊论文] 作者：萧继荣,唐荷珍,
来源：红外研究(A辑) 年份：1986
本征载流子浓度n_i是组分的函数,如果同时考虑到杂质和缺陷对载流子浓度的影响,就可能用载流子浓度来判别样品的组分。假设施主和受主都是单电离的。分别用N_d和N_a表示施主...
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