搜索筛选:
搜索耗时0.0982秒,为你在为你在102,285,761篇论文里面共找到 24 篇相符的论文内容
类      型:
[期刊论文] 作者:董友梅, 来源:建筑遗产 年份:2013
摘要:根据党的十七届六中全会精神,为构建和谐社会,将以文化产业作为国民经济的支柱性产业。临平新城在成立伊始,就根据区位实际情况作了分析论证,将新城定位为区域性商业文化中心,并紧紧围绕上述定位开展了四大功能的布局:特色文化展示功能,商业金融汇聚功能、生态居住......
[期刊论文] 作者:董友梅,崔波, 来源:河南图书馆学刊 年份:1997
[期刊论文] 作者:崔波,董友梅, 来源:情报科学 年份:2000
面对知识经济时代的到来,作者对知识经济的特征及知识经济对图书馆的基本要求,馆员继续教育的内容及应注意的问题等进行了阐述。...
[期刊论文] 作者:董友梅,宁娟, 来源:河南图书馆学刊 年份:1995
谈谈高校图书馆的人才结构董友梅,宁娟高校图书馆从整体上来讲是服务性的工作,它是为高校教学、科研提供图书文献、情报信息服务的中心,图书馆的人才结构决定着图书馆的科学管理......
[期刊论文] 作者:董友梅,管永昌, 来源:河南图书馆学刊 年份:1996
领导班子建设是搞好图书馆工作的关键董友梅,管永昌(郑州大学邮编450052)一个图书馆工作的好坏,内部机制怎样,外部形象如何,干部队伍建设的优劣,关键在领导班子。领导班子战斗力的强弱,凝聚......
[期刊论文] 作者:董友梅,李燕山, 来源:郑州大学学报:自然科学版 年份:1997
本文对电子辐照NTD硅中少数戴流子寿命τ的测量结果进行了分析,...
[期刊论文] 作者:董友梅,戴培英, 来源:固体电子学研究与进展 年份:1999
报导了高阻(81 ̄110Ω·cm)NTD-FZ-Si-P^+n结中电子辐照缺陷态的退火特性。在N2氢气保护下进行等时、等温退火,测量了它们的DLTS谱和相应的少数载流子寿命,并对结果进行了分析讨论。......
[期刊论文] 作者:董友梅,戴培英, 来源:固体电子学研究与进展 年份:1998
报导了电子辐照高阻NTD-FZ-Si中缺陷态的退火特性。分别采用真空和N2气保护下进行等时、等温退火,测量了它们的DLTS谱和相应的少数载流子寿命,对两种退火气氛的实验结果进行了分析讨论。......
[期刊论文] 作者:董友梅,戴培英, 来源:郑州大学学报:自然科学版 年份:1998
本文研究了高阻(80-110Ω.cm)NTD-FZ-Si-P^+n结中经电子辐照缺陷态在真空条件下的等时,等温退火特性,获得了5个缺陷能级,结果表明其中,E3,E4,能级是主要的复合中心。......
[期刊论文] 作者:董友梅,戴培英, 来源:郑州大学学报:自然科学版 年份:1999
本文报导了关于高阻N型区熔NTD-Si-P^+N结二极管经电子辐照后的等温退火特性,获得5个缺陷能级:E1=0.16eV,E2=0。.27eV,E3=0.31eV,E4=0.37eV6和E5=0.42eV,结果表明E3和R4有比其它3个能极更好的热稳定性。......
[期刊论文] 作者:董友梅,赵绛斌, 来源:液晶通讯 年份:1994
在单色模式STN—LCD中,由于受到盒厚控制、表面排列及各种材料等方面的制约,其缺陷形式多种多样。例如四种不同的彩虹现象虽然均是盒厚或表面处理造成,但表观形式和实质有许...
[会议论文] 作者:程鸿飞,董友梅, 来源:2004中国平板显示学术会议 年份:2004
本文运用光学理论计算的方法,对LCD盒内几个膜层(ITO层,取向层PI,绝缘层SIO)厚度参数对LCD ITO电极底影的影响,做出定性定量的分析....
[会议论文] 作者:程鸿飞,董友梅, 来源:2004中国平板显示学术会议 年份:2004
本文运用光学理论计算的方法,对LCD盒内几个膜层(ITO层,取向层PI,绝缘层SIO)厚度参数对LCD ITO电极底影的影响,做出定性定量的分析....
[期刊论文] 作者:林琳,徐艳艳,董友梅, 来源:城市建设理论研究(电子版) 年份:2004
江南水乡城镇在快速城市化过程中发生着各种各样的变化,面临着现代与传统、继承与创新等问题。本文以杭州市塘栖镇人民路以南区块为研究案例,通过分析与提炼塘栖水乡形态的特色......
[期刊论文] 作者:董友梅,李燕山,戴培英,, 来源:郑州大学学报(自然科学版) 年份:1997
本文对电子辐照 NTD 硅中少数戴流子寿命τ的测量结果进行了分析,获得了未退火时τ与 T(77K~300K)的线性关系和寿命的相对偏差|△τ|/■(=|τ-■|)≤10%,这些结果表明样品的均...
[期刊论文] 作者:戴培英,董友梅,司怀吉, 来源:电力电子技术 年份:2001
报导了经电子辐照后的高阻 (4 5~ 70Ω·cm)NTD FZ Si p+nn+结的N Si中缺陷态在氮气保护下的等时、等温退火特性 ,而且获得了主要缺陷态能极E3、E4 的激活能和频率因子。The...
[会议论文] 作者:董友梅,李维强,侯连武, 来源:中国电工技术学会电力电子学第五次学术会议 年份:1993
[期刊论文] 作者:张育才,拓耀亮,董友梅,李生伟, 来源:现代审计与经济 年份:1994
农业专项资金实行管理审计势在必行张育才,拓耀亮,董友梅,李生伟延安是革命圣地,又是老、少、边、穷地区,国家每年投放的支农专项资金数额较大.据对延安地区十个县(市)审计统计,1991一1993年共......
[会议论文] 作者:戴培英,董友梅,郭敏,张宇翔, 来源:1998年全国半导体硅材料学术会议 年份:1998
该文报导了高阴(45~70Ω·cm)NTD-FZ-Si-P〈’+〉nn〈’+〉结的硅层中,经电子辐照后缺陷态的等温、等时退火特性,而且获得了主要缺陷态能级E〈,3〉、E〈,4〉的缺陷激活能和频率因子。......
[期刊论文] 作者:董友梅,戴培英,郭敏,张宇翔, 来源:郑州大学学报(自然科学版) 年份:1999
本文报导了关于高阻 N 型区熔( F Z) N T D- Si- P+ N 结二极管经电子辐照后的等温退火特性,获得5 个缺陷能级: E1 = 0 .16e V, E2 = 0 .27e V, E3 = 0 .31e V, E4 = 0 .37e V 和 E5 = 0 .42e V.结果表明 E3 和 E4 有比其它3 个能极更好的热稳定性......
相关搜索: