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[期刊论文] 作者：蒋晋义,
来源：微电子学 年份：1980
报告了用一种新型的过滤筒来去除在微电子工业中用于漂洗硅片的去离子水中的胶体物质的实验研究结果。这种新型过滤筒是用传统的褶状筒做成的,在它周围插入一薄层阳、阴离子...
[期刊论文] 作者：蒋晋义,
来源：微电子学 年份：1983
...
[期刊论文] 作者：J.E.T.Kuiper,蒋晋义,
来源：微电子学 年份：1983
用SiH2Cl2、N20和NH3混合气体、借低压化学汽相淀积（LPCVD）工艺在820℃下生长了氮氧化硅膜。整个膜的组成可通过调节N2O/NH3气体流量比来加以改变。淀积膜的卢瑟福背散射（RBS）及...
[期刊论文] 作者：T.Paul Chow ,蒋晋义,
来源：微电子学 年份：2004
随着芯片尺寸和集成电路密度的不断增加,多晶硅互连线的电阻限制了总的电路性能。本文将对用于增强或代替多晶硅的难熔栅的现状进行评论。所讨论的栅结构有单层难熔金属栅及...
[期刊论文] 作者：沈令康,蒋晋义,
来源：微电子学 年份：1983
我们建立了露点低达-85℃,氧含量低达0.2ppm的高纯氢制备装置。本文讨论了分子筛和催化剂的活化条件对所制的纯氢纯度的影响,同时还列举了氢气纯度对GaAs和Ga_(1-x)Al_xAs MO...
[期刊论文] 作者：蒋晋义,沈令康,
来源：微电子学 年份：1980
前言 用Ga-AsCl_3-H_2系统已制备了总电离杂质浓度为～10~(13)cm~3的高纯GaAs外延层,但是卤化物系统控制困难,重复性差,不能完全满足器件和电路发展的需要。1968年,Manasevit...
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