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[期刊论文] 作者：蔡玉霜,,
来源：江西农业学报 年份：2014
通过对黄河流域上游与下游各省市的水资源利用及产业结构现状的描述反映出补偿机制的设立对于顺利实施虚拟水贸易、合理配置水资源、优化产业结构的重要意义,提出了虚拟水贸...
[期刊论文] 作者：蔡玉霜,陈朝,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1992
研究了直拉头尾料P型硅单晶片在360～1 300℃范围热处理前后氧碳含量、电阻率和少子扩散长度的变化规律及其对所制成太阳电池性能的影响。已证实在最佳的热处理条件下样品含氧...
[期刊论文] 作者：颜永美,蔡玉霜,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1995
通过Ｘ光衍射图分析，确认了较低温度下ＣＶＤ法生长的非掺杂ＳｎＯ２晶膜含有较多的偏离ＳｎＯ２配位的晶体成分，从而定性地解释了该晶膜具有较高的气体敏感度的现象。...
[期刊论文] 作者：颜永美,沈华,蔡玉霜,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1995
通过Ｘ光衍射图分析，确认了较低温度下ＣＶＤ法生长的非掺杂ＳｎＯ２晶膜含有较多的偏离ＳｎＯ２配位的晶体成份，从而定性地解释了该晶膜具有较高的气体敏感度的现象。By X-ray diffraction analysis,......
[期刊论文] 作者：沈 华,张万中,朱文章,蔡玉霜,
来源：半导体光电 年份：2004
采用ＣＶＤ方法在硅单晶上制备ＳｎＯ２薄膜，对不同硅衬底及在不同温度下淀积ＳｎＯ２制得ＳｎＯ２／Ｓｉ进行光电压谱的测量，得出最佳的制备温度；采用类金属半导体接触模型，推导出有关计算公式，计算得出其介面复合速度......
[期刊论文] 作者：沈华,朱文章,王余姜,蔡玉霜,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1995
研究了沉积温度、ＳｎＣｌ４溶液的浓度、掺Ｐｄ等对ＳｎＯ２／Ｓｉ光电压的影响，测量了ＳｎＯ２／Ｓｉ的光电压谱，得出最佳的制备条件，进行了有关计算和分析。The effects of deposition temperature, concentration of......
[期刊论文] 作者：吴孙桃,沈 华,徐富春,蔡玉霜,
来源：厦门大学学报(自然科学版) 年份：1994
利用ＸＰＳ方法，分析四种由不同ＣＶＤ温度（２５０～５５０℃）淀积在ｎ－Ｓｉ衬底上形成异质结的ＳｎＯ＿２透明多晶薄膜的表面．定性和半定量分析表明，表面存在三种氧物种，在加热吸附Ｈ＿２前后，相对含量发生变化，变化大小与制备温度有关......
[期刊论文] 作者：沈凯华,朱文章,吴孙桃,蔡玉霜,
来源：半导体光电 年份：1996
测量了ＳｎＯ２／Ｓｉ表面吸附Ｈ２、液化石油气等还原性气体前后光电压的变化；分析了ＳｎＯ２／Ｓｉ表面的吸附性和机理。...
[期刊论文] 作者：沈凯华,朱文章,王余美,蔡玉霜,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1995
研究了沉积温度，ＳｎＣｌ４溶液的浓度，掺Ｐｄ等对ＳｎＯ２／Ｓｉ光电压的影响，测量了ＳｎＯ２／Ｓｉ的光电压谱，得出最佳的制备条件，进行了有关计算和分析。...
[期刊论文] 作者：沈 华,谢廷贵,王余姜,蔡玉霜,
来源：厦门大学学报(自然科学版) 年份：1995
研究了二氧化锡／多孔硅／硅（ＳｎＯ＿２／ＰＳ／Ｓｉ）的光伏谱和吸附性质，由分析光伏谱得出在ＳｎＯ＿２／ＰＳ／Ｓｉ之间存在着二个异质结：一个是ＳｎＯ＿２／ＰＳ异质结；另一个是ＰＳ／Ｓｉ异质结，当样品吸附ＣＯ气体后，光电压明显减少，实验结果表明，利用光电压的变......
[期刊论文] 作者：蔡玉霜,李勤英,张声豪,颜永美,吴荣华,郑永梅,
来源：厦门大学学报(自然科学版) 年份：1981
本文叙述了为研究热氧化工艺中生长的氧化层错与固定电荷的成因及其抑制、消除或减少途径而设计的有关实验,对所得到的各实验结果,均可应用Sanders等人的空位发射机构以及S·...
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