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[期刊论文] 作者：蔡端俊,,
来源：经济研究导刊 年份：2009
财务管理是有关企业资金的筹集、投放和分配的管理工作,财务管理工作是企业管理工作中的一个重要组成部分。随着新企业会计准则的颁布和广泛施行,我国当前的企业财务管理工作...
[期刊论文] 作者：蔡端俊,,
来源：会计师 年份：2011
中小企业在社会经济的发展中有着相当重要的作用,特别是对于我国这样的发展中国家。近年来,我国经济总体处于黄金发展期,其中小企业对整个社会的贡献非常巨大。根据相关...
[学位论文] 作者：蔡端俊,,
来源：厦门大学 年份：2004
GaN基半导体作为光电子材料领域极为重要的材料,其异质结构在器件开发领域得到十分广泛的应用,目前,影响其未来发展的有几大关键性难题,本质上都与应力场有关,深受大家关注且...
[会议论文] 作者：蔡端俊,
来源：第13届全国MOCVD学术会议 年份：2014
从半导体光电子器件基本结构的角度来看,为了同时实现高的电学注入(输出)效率和高的光提取(吸收)效率,透明电极作为重要的器件组成元素之一,一直是材料研究的重要课题并在各类光电子器件(如LED、太阳能电池、光探测器等)中获得广泛的应用.......
[期刊论文] 作者：蔡端俊,冯夏,等,
来源：半导体学报 年份：2001
采用混合基表示的第一原理赝势方法，计算了闪锌矿结构的CaN（001）（1×1）干净表面的电子结构。分析了得到的各原子分态密度、面电荷密度分布以及表面能带结构等性质，比较了GaN（001......
[期刊论文] 作者：黄强灿,蔡端俊,康俊勇,,
来源：厦门大学学报(自然科学版) 年份：2012
采用第一性原理模拟计算方法，从原子层面出发，了解InN的生长动力学行为．通过计算N和In原子于不同覆盖度下In极性表面的top、h3以及t4位置上的形成能和扩散势垒，了解沉积原子的相......
[会议论文] 作者：黄强灿,蔡端俊,康俊勇,
来源：第十二届全国MOCVD学术会议 年份：2012
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[期刊论文] 作者：康俊勇,徐富春,蔡端俊,李金钗,,
来源：物理学进展 年份：2008
随着纳米结构材料的广泛应用，新型微纳尺度表征技术成为纳米科学技术发展的重要途径。本文基于局域电子信息全面性的思想，从俄歇电子能谱的原理出发，理论推导出俄歇价电子能谱的......
[期刊论文] 作者：蔡端俊,冯夏,朱梓忠,康俊勇,
来源：半导体学报 年份：2004
采用混合基表示的第一原理赝势方法,计算了闪锌矿结构的GaN(001)(1×1)干净表面的电子结构.分析了得到的各原子分态密度、面电荷密度分布以及表面能带结构等性质,比较了GaN(0...
[会议论文] 作者：蔡端俊, 陈小红, 林娜, 徐富春, 陈航洋,,
来源： 年份：2004
Quantum well has been one of the most important candidates constructing the active layer for optoelectronic devices,which can strongly confine the carriers...
[会议论文] 作者：蔡端俊,陈小红,林娜,徐富春,陈航洋,
来源：第十二届全国MOCVD学术会议 年份：2012
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[会议论文] 作者：周瑾,黄强灿,李金钗,蔡端俊,康俊勇,
来源：第13届全国MOCVD学术会议 年份：2014
本研究课题组从InN材料的生长晶格动力学理论模拟计算出发,提出了双铟原子预沉积及渗透氮化的生长方法.该方法己在理论上证明相比传统InN薄膜外延生长方法有许多优点.为了在实验上研究使用该方法的生长过程中InN的生长行为,我们设计并使用MOCVD设备进行了多组生......
[会议论文] 作者：林娜,吴洁君,郑同场,刘川,蔡端俊,
来源：第13届全国MOCVD学术会议 年份：2014
随着GaN基半导体材料和器件的发展,异质衬底(如蓝宝石、碳化硅等)外延生长始终限制着高质量GaN外延膜的获得,因此GaN同质自支撑衬底的实现一直是重要的研究课题之一.许多研究组分别通过激光[1]、机械[2]、湿法腐蚀等剥离技术来分离GaN,但这些方法仍然不可避免地......
[期刊论文] 作者：康俊勇,蔡端俊,肖细凤,沈耀文,沈波,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2002
采用光荧光和阴极荧光方法 ,对 Ga N外延层中的黄色和蓝色发光进行测量分析 ;同时 ,采用原子力显微镜、扫描电镜及其能谱测量外延层中的缺陷。结果表明 ,黄色和蓝色发光与残...
[期刊论文] 作者：郑同场,林伟,蔡端俊,李金钗,李书平,康俊勇,,
来源：厦门大学学报(自然科学版) 年份：2016
高Al组分（即原子分数）AlGaN带边发光以e光为主的发光特性,从根本上限制了沿c面生长器件的正面出光,成为光电器件发光效率急剧下降的主要原因.第一性原理模拟计算表明,AlxGa1-xN...
[期刊论文] 作者：李金钗,高娜,林伟,蔡端俊,黄凯,李书平,康俊勇,
来源：人工晶体学报 年份：2020
AlGaN量子结构是实现高光效、高稳定紫外固态光源的核心。近年来,AlGaN半导体材料及其紫外光源应用研究取得了较大的进展。然而,AlGaN材料的生长制备只能在非平衡条件下完成,...
[期刊论文] 作者：林伟,高娜,李金钗,黄凯,蔡端俊,李书平,康俊勇,
来源：厦门大学学报:自然科学版 年份：2021
简要回顾了氮化物半导体发光二极管技术的发展历程,总结了多物理场作为有效调控和裁剪氮化物量子结构关键特性的重要手段,着重介绍了近年来厦门大学在半导体固态光源量子结构...
[会议论文] 作者：高娜;林伟;李金钗;黄凯;蔡端俊;李书平;康俊勇;,
来源：第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议 年份：2015
人们知道,限制AlGaN基深紫外光源发光效率的瓶颈主要在于电荷输运至有源层的效率——载流子注入效率、电子空穴对辐射复合转换成光子的效率——内量子效率、以及发光传播出器...
[会议论文] 作者：林伟,姜伟,杨闻操,蔡端俊,李书平,康俊勇,
来源：第十二届全国MOCVD学术会议 年份：2012
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[期刊论文] 作者：张彬彬, 李书平, 李金钗, 蔡端俊, 陈航洋, 刘达艺, 康俊,
来源：厦门大学学报(自然科学版 年份：2012
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