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[学位论文] 作者：许晟瑞,,
来源：西安电子科技大学 年份：2010
由于常规的GaN是在极性c面蓝宝石上生长的,GaN基高电子迁移率晶体管的出色性能主要是因为AlGaN/GaN异质结界面存在着高密度和高迁移率的二维电子气(2DEG),这层2DEG是由于异质...
[学位论文] 作者：许晟瑞,
来源：西安电子科技大学 年份：2007
横向高压功率器件LDMOS(Lateral Diffused Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)有耐高压、增益大、动态范围宽、失真低和易于和低压电路工艺兼容等特点。随...
[期刊论文] 作者：段小玲,许晟瑞,
来源：高教学刊 年份：2020
微电子专业具有综合性和实践性强的特点,加强实验教学改革对培养学生专业实践能力和创新能力具有重要意义。针对微电子专业基础实验课——《半导体工艺检测》实验教学中存在...
[期刊论文] 作者：许晟瑞,冯辉,郝跃,李德昌,,
来源：现代电子技术 年份：2006
射频LDMOS由于具有高击穿电压、高线形、高增益、价格低廉等优势而成为手机基站中的核心射频功率放大器件，LDMOS的栅漏电容Ga是决定截至频率的主要因素，研究他对射频LDMOS的设...
[期刊论文] 作者：樊永祥,许晟瑞,康海燕,
来源：高教学刊 年份：2020
面对行业需求和学科前沿的快速发展,以增强学生创新能力培养和建立科学研究信心为目的,在本科“微电子科学与工程”专业实验教学平台上,结合西电在宽禁带半导体材料GaN领域的...
[期刊论文] 作者：段小玲 王树龙 许晟瑞,
来源：大学·教学与教育 年份：2020
摘要：半导体器件物理实验是微电子与集成电路专业的核心专业实验，具有实践性强及技术更新快的特点，而真实实验环节存在实验设备昂贵、安全风险和器件内部特征与参数信息难以获得等问题。西安电子科技大学微电子学院实验中心把虚拟仿真实验应用到半导体器件物理实验......
[期刊论文] 作者：段小玲 许晟瑞 王树龙,
来源：教育教学论坛 年份：2021
[摘 要] 近年来国家快速发展的半导体产业，对高校高新技术人才培养提出了更高的要求。通过分析目前微电子教学模式中存在的主要问题，结合产学研融合的教育理念，有针对性地提出“紧随时代，负芯前行”的前沿下沉式实验教学模式，在实验体系、教学内容和实训平台等多个方......
[期刊论文] 作者：许晟瑞,郝跃,冯晖,李德昌,张进城,,
来源：半导体学报 年份：2007
研究了采用双RESURF技术的槽栅横向双扩散MOSFET（DRTG-LDMOS），讨论了双RESURF技术对击穿电压的影响，以及DRTG-LDMOS的电容特性，与传统的槽栅器件结构相比，新结构在相同的漂移长度和...
[会议论文] 作者：池雅庆,方粮,冯辉,郝跃,许晟瑞,
来源：第14届全国信息存储技术学术会议 年份：2006
为揭示RESURF LDMOS漂移区的工作机理,通过将漂移区电势进行二阶泰勒展开,结合边界条件简化,解析求解了二维泊松方程,提出了RESURF LDMOS漂移区电势和电场强度二维分布的一种...
[期刊论文] 作者：周小伟,李培咸,许晟瑞,郝跃,,
来源：半导体学报 年份：2009
The growth of high-performance Mg-doped p-type AlxGa1-xN (x = 0.2) using metal-organic chemical vapor deposition is reported. The influence of growth conditions...
[期刊论文] 作者：李志明,郝跃,张进成,许晟瑞,倪金玉,周小伟,,
来源：Chinese Physics B 年份：2009
Electromagnetic field distribution in the vertical metal organic chemical vapour deposition (MOCVD) reactor is simulated by using the finite element method (FEM...
[期刊论文] 作者：李志明,郝跃,张进成,许晟瑞,毕志伟,周小伟,,
来源：人工晶体学报 年份：2010
在立式MOCVD反应室中,通过对生长氮化镓（GaN）薄膜材料的仿真,发现衬底表面反应物三甲基镓物质的量的浓度分布与实际生长的GaN薄膜的厚度分布一致,同时,仿真结果表明,薄膜的厚度...
Improved Semipolar(11(2|-)2) GaN Quality Grown on m-Plane Sapphire Substrates by Metal Organic Chemi
[期刊论文] 作者：许晟瑞,赵颖,姜腾,张进成,李培咸,郝跃,,
来源：Chinese Physics Letters 年份：2016
The effect of a self-organized SiN_x interlayer on the defect density of(11(2|-)2) semipolar GaN grown on m-plane sapphire is studied by transmission electron m...
[期刊论文] 作者：李志明, 郝跃, 张进成, 陈炽, 薛军帅, 常永明, 许晟瑞,,
来源：人工晶体学报 年份：2010
...
Luminescence of a GaN grain with a nonpolar and semipolar plane in relation to microstructural chara
[期刊论文] 作者：周小伟,许晟瑞,张进成,党纪源,吕玲,郝跃,郭立新,,
来源：Chinese Physics B 年份：2012
We report on the growth of the high-quality GaN grain on a r-plane sapphire substrate by using a self-organized SiN interlayer as a selective growth mask.Transm...
[期刊论文] 作者：李志明,许晟瑞,张进虎,常永明,倪金玉,周小伟,郝跃,,
来源：半导体学报 年份：2009
The temperature field in the vertical metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) reactor chamber used for the growth of GaN materials is studied using the f...
[期刊论文] 作者：许晟瑞,段焕涛,郝跃,张进城,张金凤,倪金玉,胡仕刚,李志明,
来源：西安电子科技大学学报 年份：2009
自发极化和压电极化是氮化镓制作光电器件没有解决的问题,对非极性GaN材料的研究解决了极化现象.采用低温AlN作为缓冲层,在（11^-02）r面蓝宝石和（0001）c面蓝宝石上分别生长了（11^20......
[期刊论文] 作者：许晟瑞,段焕涛,郝跃,张进城,张金凤,倪金玉,胡仕刚,李志明,
来源：西安电子科技大学学报（自然科学版） 年份：2004
自发极化和压电极化是氮化镓制作光电器件没有解决的问题,对非极性GaN材料的研究解决了极化现象.采用低温AIN作为缓冲层,在(1102)γ面蓝宝石和(0001)с面蓝宝石上分别生长了(...
[会议论文] 作者：许晟瑞,刘子扬,姜腾,林志宇,周昊,张进成,郝跃,
来源：第十二届全国MOCVD学术会议 年份：2012
...
[期刊论文] 作者：许晟瑞,段焕涛,郝跃,张进城,张金凤,倪金玉,胡仕刚,李志明,,
来源：西安电子科技大学学报 年份：2009
自发极化和压电极化是氮化镓制作光电器件没有解决的问题,对非极性GaN材料的研究解决了极化现象.采用低温AlN作为缓冲层,在(1■02)r面蓝宝石和(0001)c面蓝宝石上分别生长了(1...
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