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[学位论文] 作者：郑雪帆,
来源：北京理工大学 年份：2003
该文对AMR语音编码的算法改进进行了如下研究:设计并实现了一种对汉语普通话环境下AMR语音编码器语音重建质量评测的主观测听自动统计系统.通过主观测听实验,对AMR语音编码算...
[会议论文] 作者：郑雪帆,
来源：2008年中国电机工程学会年会 年份：2008
文章介绍了500KV 高压输变电系统中变电站3／2 接线的特点，同时就 500kV 获嘉变电站3／2 接线的倒闸操作顺序进行了讨论。...
[期刊论文] 作者：王玉林,郑雪帆,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1999
介绍了一种掺氦的等离子增强化学气相淀积（ＰＥＣＶＤ）氮化硅薄膜工艺技术，可调控氮化硅薄膜的应力，从而在较低的射频功率下生长低应力的氮化硅薄膜。文中对其机理作了初步的探讨。所生长的......
[期刊论文] 作者：郑雪帆,陈效建,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1999
报道了Ｋａ 波段功率ＰＨＥＭＴ的设计和研制结果。利用双平面掺杂的ＡｌＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓＰＨＥＭＴ材料，采用０．２ μｍ 的Ｔ型栅及槽型通孔接地技术，研制的功率ＰＨＥＭＴ的初步测试结果为：Ｉｄｓｓ：３６５ ｍ Ａ／ｍ ｍ ；ｇｍ ０：３２０ ｍ Ｓ／ｍ ｍ ；Ｖｐ：－ １．０～－ ２．０ Ｖ。总栅宽为７５０ μｍ 的功率器件在频率为３３ ＧＨｚ时，输......
[期刊论文] 作者：郑雪帆,刘春,等,
来源：电讯技术 年份：2003
作为3GPP WCDMA的语音编码（Speech Coding）候选方案，自适应多速率（AMR）语音编码是一种多模式集成的ACELP类语音编码方案。本文根据该编码方案的标准，分析了其方案实现中的关键算法......
[会议论文] 作者：郑雪帆,陈效建,
来源：全国化合物半导体、微波器件和光电器件学术会议 年份：1998
报道了8mm功率PHBMT的设计和研制结果。利用双平面掺杂的AlGaAs／InGaAs PHEMT材料，采用0.2um的T型栅及槽型通孔接地技术，研制的功率PHEMT的初步测试结果为：Idss:365 mA/mm:gmO:32...
[期刊论文] 作者：王玉林, 郑雪帆, 陈效建,,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1999
介绍了一种掺氦的等离子增强化学气相淀积（ＰＥＣＶＤ）氮化硅薄膜工艺技术，可调控氮化硅薄膜的应力，从而在较低的射频功率下生长低应力的氮化硅薄膜。文中对其机理作了初步的探讨。所生长的......
[会议论文] 作者：刘春,郑雪帆,梅文博,
来源：2002年全国电子测控工程学术年会 年份：2002
本文介绍了一种基于Motorola DSP56824的空气声纳系统.该系统使用40KHz超声波传感器,采用Motoroola DSP56824进行信号处理.通过参考雷达系统中的概念和同类声纳设计,系统采用...
[期刊论文] 作者：陈效建,刘军,郑雪帆,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1993
报道了微波低噪声异质结赝配HEMT的研究结果。以半绝缘GaAs为衬底,用MBE方法生长异质结材料。采用低应力、低损伤工艺程序,以AuGeNi/Au形成源漏欧姆接触,Al形成栅肖特基势垒...
[期刊论文] 作者：郑雪帆,陈效建,高建峰,王军贤,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1999
报道了Ｋａ 波段功率ＰＨＥＭＴ的设计和研制结果。利用双平面掺杂的ＡｌＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓＰＨＥＭＴ材料，采用０．２ μｍ 的Ｔ型栅及槽型通孔接地技术，研制的功率ＰＨＥＭＴ的初步测试结果为：Ｉｄｓｓ：３６５ ｍ Ａ／ｍ ｍ ；ｇｍ ０：３２０ ｍ Ｓ／ｍ ｍ ；Ｖｐ：－ １．０～－ ２．０ Ｖ。总栅宽为７５０ μｍ 的功率器件在频率为３３ ＧＨｚ时，输......
[期刊论文] 作者：郑雪帆,刘春,陆诚,匡镜明,赵胜辉,,
来源：电讯技术 年份：2004
作为3GPP WCDMA的语音编码(Speech Coding)候选方案,自适应多速率(AMR)语音编码是一种多模式集成的ACELP类语音编码方案.本文根据该编码方案的标准,分析了其方案实现中的关键...
[期刊论文] 作者：陈效建,刘军,李拂晓,郑雪帆,华培忠,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1994
双平面掺杂ＡｌＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓ功率ＰＨＥＭＴ陈效建，刘军，李拂晓，郑雪帆，华培忠（南京电子器件研究所，２１００１６）Ｄｏｕｂｌｅ－ｐｌａｎａｒ－ｄｏｐｅｄＡｌＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓＰｏｗｅｒＰＨＥＭＴ￥ＣｈｅｎＸｉａｏｊｉａｎ；ＬｉｕＪｕｎ；Ｌ...Double Planar Doped AlGaAs / InGaAs Power PHEMT Chen Xiaojian; Liu Jun; Li Xiaoxu; Zheng Xuefan......
[期刊论文] 作者：陈效建,刘军,郑雪帆,王树珠,孙晓鹏,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2004
高电子迁移率晶体管(HEMT)在近十年的发展中,已成为微波、毫米波及高速数字领域中最重要的新型半导体器件之一,并正进入实用化与商品化.HEMI的许多优异性能与器件内部异质结...
[期刊论文] 作者：陈新宇,高建峰,王军贤,郑雪帆,陈效建,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1999
南京电子器件研究所研制的８ｍｍ高电子迁移率功率晶体管芯片是国内首次通过设计定型的８ｍｍ波段ＰＨＥＭＴ功率器件，具有频率特性好、增益高、输出功率大、使用方便等优点。为更好地发挥异质结材料......
[期刊论文] 作者：乔宝文,陈效建,刘军,郑雪帆,王军贤,郝西萍,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1998
报道了X波段及DBS接收用单片低噪声放大器的研制结果。利用CAD软件对单片电路进行优化设计，设计工作包括MBE材料、PHEMT器件和单片电路三部分。在研制过程中，开展了关键工艺的...
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