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[会议论文] 作者：陈意桥,陈超,
来源：粤港澳大湾区真空科技与宽禁带半导体应用高峰论坛暨2017年广东省真空学会学术年会 年份：2017
近年来原子层刻蚀(atomic layer etching,ALE)及原子层沉积(atomic layer deposition,ALD)技术的发展,使得半导体材料和器件的新功能和新应用成为可能.本文报告了利用ALE/ALD...
[期刊论文] 作者：陈意桥, 雷啸霖,
来源：物理学报 年份：2020
分别从周期场中电子准经典运动方程和作者之一最近提出的输运平衡方程出发，分析了二维Ｂｌｏｃｈ电子在电场和磁场作用下的准经典输运，给出了不同电场下电子纵向漂移速度ｖｘ和霍耳漂移速度ｖｙ随磁场的变化趋势．结果显示，ｖｘ和ｖｙ均随磁场连续变化，在任何给定电场下都没有发现纵向漂移速度或......
[期刊论文] 作者：高少文,陈意桥,等,
来源：功能材料与器件学报 年份：2002
对含有Luttinger-Kohn哈密顿量的有效质量方程，利用S.L.Chuang提出的传递矩阵法，计算了量子阱中不同Ga组分的GaxIn1-xAs/GaInAsP应变量子阱结构的能带，该结构可被选作980nm光通...
[期刊论文] 作者：刘家洲,陈意桥,等,
来源：功能材料与器件学报 年份：2002
报道了采用GSMBE方法研制的In0.53Ga0.47As PIN光电探测器，器件结构中引入了宽禁带InP窗口层和聚酰亚胺钝化工艺，减小了暗电流，提高了器件性能。在反向偏压为5V时器件的暗电流为...
[会议论文] 作者：陈意桥, 陈超, 张国祯,,
来源： 年份：2004
近年来原子层刻蚀（Atomic Layer Etching,ALE）及原子层沉积（Atomic Layer Deposition,ALD）技术的发展,使得半导体材料和器件的新功能和新应用成为可能。本文报告了利用ALE/ALD和...
[期刊论文] 作者：高少文,陈意桥,李爱珍,
来源：功能材料与器件学报 年份：2002
对含有Luttinger-Kohn哈密顿量的有效质量方程,利用S.L.Chuang提出的传递矩阵法,计算了量子阱中不同Ga组分的GaxIn1-xAs/GaInAsP应变量子阱结构的能带,该结构可被选作980nm光...
[会议论文] 作者：张永刚;陈建新;陈意桥;,
来源：全国化合物半导体.微波器件和光电器件学术会议 年份：2000
采用气态源分子束外延方法及应变补偿生长工艺生长InAsP/InGaAsP应变补偿多量子阱激光器材料，采用选择刻蚀和聚酰亚胺隔离工艺制作成了脊波导型1.3μm激光器芯片并对芯片性能...
[会议论文] 作者：陈意桥,李爱珍,陈建新,
来源：第五届全国分子束外延学术会议 年份：1999
...
[会议论文] 作者：李爱珍,陈意桥,齐鸣,陈建新,
来源：第五届全国分子束外延学术会议 年份：1999
...
[期刊论文] 作者：许锦成, 杨蕴琦, 陈意桥, 万澍,,
来源：商 年份：2004
随着经济的快速发展,社会环境发生了较大的变化,一定程度上加快了我国市场化的进程。政府将相应的审计机关作为检查目标,加强了对市场变化的研究,这不仅在市场审计中发挥着重...
[期刊论文] 作者：许锦成,杨蕴琦,陈意桥,万澍,
来源：商情 年份：2016
随着国有企业改革的逐步深入,会计信息失真以及审计失败等问题突出,严重影响到国有企业改革的效果.政府作为国家经济监督职能的重要组成部分,在企业经济运行中起到关键性作用...
[会议论文] 作者：陈晓杰,陈意桥,陈建新,李爱珍,
来源：第六届全国分子束外延学术会议 年份：2001
制作高性能HBT的关键之一是获得界面质量优良的半导体超薄异质结构材料,分子束外延是生长HBT微结构材料的最先进技术之一.本文报道了GSMBE技术生长InGaP/GaAs HBT微结构材料及其原型器件研究.......
[期刊论文] 作者：张永刚,陈建新,陈意桥,齐鸣,李爱珍,
来源：功能材料与器件学报 年份：2000
采用气态源分子束外延方法及应变补偿生长工艺生长了InAsP/InGaAsP应变补偿多量子阱激光器材料，采用选择刻蚀和聚酰亚胺隔离工艺制作成了脊波导型1.3μm激光器芯片并对芯片性...
[会议论文] 作者：吴惠桢,雷华平,陈意桥,齐鸣,李爱珍,
来源：第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2002
论文综述了1.3μm垂直腔面发射激光器的研究现状,设计了适合与1.3μm垂直腔面发射激光器的多层膜反射镜,并用光荧光光谱分析了由GSMBE生长的、可用与1.3μm垂直腔面发射激光器有源层的InAsP/InGaAsP应变补偿量子阱结构的发光特性.......
[期刊论文] 作者：陈晓杰,陈建新,陈意桥,彭鹏,李爱珍,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2000
采用 GSMBE技术 ,在材料表征和分析的基础上 ,通过优化生长条件 ,生长出高性能In0 .4 9Ga0 .51P/ Ga As异质结双极晶体管 (HBT)微结构材料 ,并制备出器件。材料结构中采用了...
[期刊论文] 作者：刘家洲,陈意桥,税琼,南矿军,李爱珍,张永刚,
来源：功能材料与器件学报 年份：2002
报道了采用GSMBE方法研制的In0.53Ga0.47AsPIN光电探测器,器件结构中引入了宽禁带InP窗口层和聚酰亚胺钝化工艺,减小了暗电流,提高了器件性能。在反向偏压为5V时器件的暗电流...
[会议论文] 作者：张永刚,刘家洲,陈意桥,南矿军,税琼,李爱珍,
来源：第六届全国分子束外延学术会议 年份：2001
本文报道了采用GsMBE方法研制的InGaAs PIN探测器,通过在器件结构中引入了宽禁带InP窗口层和聚酰亚胺钝化工艺,减小了暗电流,提高了性能,采用半导体参数测试仪对器件的I-V特...
[期刊论文] 作者：刘训春,陈俊,王润梅,王惟林,李无瑕,李爱珍,陈建新,陈意桥,陈晓杰,杨全魁,
来源：功能材料与器件学报 年份：2000
制备了增强型InGaP/InGaAsPHEMT器件结构、阈值控制以及单电源低电压低噪声单片放大器。获得了阈值电压接近0V的增强型InGaP/InGaAsPHEMT器件，并在此基础上设计制作了可在1.5～3...
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