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[会议论文] 作者：Lijie Cui,George Kuczera,Mohammad Mortazavi,
来源：35th IAHR World Congress(第三十五届国际水利学大会) 年份：2013
Many real-world optimization problems involve inequality and/or equality constraints and are therefore posed as constrained optimization problems....
[期刊论文] 作者：Xinxin Ren,Guangzheng Zhou,Ji Xu,Lijie Cui,Wei Ge,
来源：颗粒学报（英文版） 年份：2016
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Formation of uniform reduced graphene oxide films on modified PET substrates using drop-casting meth
[期刊论文] 作者：Chunlin Zhao,Li Xing,Junhui Xiang,Lijie Cui,JianbinJiao,Huazheng Sai,Zhenyou Li,Fei Li,,
来源：Particuology 年份：2014
In this work,uniform reduced graphene oxide(RGO) films were formed on poly-(ethylene terephthalate)(PET) substrates using a simple drop-casting method.We invest...
[会议论文] 作者：Yang Zhang,Yuwei Zhang,Yanbo Li,Chengyan Wang,Min Guan,Lijie Cui,Baoqiang Wang,Zhanping Zhu,Yiping Zeng,
来源：第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 年份：2012
采用固态分子束外延技术在半绝缘GaAs(001)衬底上生长了AlSb/InAs高电子迁移率晶体管结构,研究了室温下InAs沟道厚度对二维电子气迁移率的影响。研究发现,一个较厚的沟道...
[会议论文] 作者：Yang Zhang,张杨,张雨溦,Yuwei Zhang,Yanbo Li,李彦波,Chengyan Wang,王成艳,Min Guan,关敏,Lijie Cui,崔利杰,Baoqiang Wang,,
来源：第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 年份：2012
采用固态分子束外延技术在半绝缘GaAs(001)衬底上生长了AlSb/InAs高电子迁移率晶体管结构,研究了室温下InAs沟道厚度对二维电子气迁移率的影响。研究发现,一个较厚的沟道对提高二维电子气迁移率有很大的作用。研制的AlSb/InAs HEMT室温下迁移率最高达到了23050c......
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