【摘 要】
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采用固态分子束外延技术在半绝缘GaAs(001)衬底上生长了AlSb/InAs高电子迁移率晶体管结构,研究了室温下InAs沟道厚度对二维电子气迁移率的影响。研究发现,一个较厚的沟道对提高二维电子气迁移率有很大的作用。研制的AlSb/InAs HEMT室温下迁移率最高达到了23050cm2/Vs,二维电子气浓度为2.8×l012/cm2。
【机 构】
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Key Laboratory of Semiconductor Materials Science, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of S
【出 处】
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第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议
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采用固态分子束外延技术在半绝缘GaAs(001)衬底上生长了AlSb/InAs高电子迁移率晶体管结构,研究了室温下InAs沟道厚度对二维电子气迁移率的影响。研究发现,一个较厚的沟道对提高二维电子气迁移率有很大的作用。研制的AlSb/InAs HEMT室温下迁移率最高达到了23050cm2/Vs,二维电子气浓度为2.8×l012/cm2。
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