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[期刊论文] 作者：Laura Peters,,
来源：集成电路应用 年份：2004
雾状缺陷(Hazedefect)是残留在掩膜版上的有机物或无机物,它们在曝光时有可能会生长变大。在光刻波长为248nm时,这类缺陷尚不会引起太大的问题,大约只影响到5%的掩膜版。...
[期刊论文] 作者：Laura Peters,,
来源：集成电路应用 年份：2006
虽然现在推测浸没光刻技术的量产时间还太早，但是许多公司正在努力确定生产线何时能从干法工艺跃为湿法工艺。根据最近在San Jose举办的SPIE Microlithography会议的迹象来看，...
[期刊论文] 作者：Laura Peters,,
来源：集成电路应用 年份：2007
来自台积电（TSMC）的工程师们已经找到通过比较光学显微镜图像和扫描电子显微镜（SEM）图像来跟踪缺陷来源的方法，从而成功地将浸没式曝光的300mm硅片上的平均缺陷数目从19.7减少到4．8......
[期刊论文] 作者：Siobhan Peters,,
来源：世界环境 年份：2002
本文对即将召开的世界可持续发展峰会(WSSD)作了简单介绍,并简要回顾了里约会议以来取得的进展.强调了可持续发展需要全球合作的重要性,并给出了英国政府可持续发展指标体系....
[期刊论文] 作者：Laura Peters,,
来源：集成电路应用 年份：2007
尽管互连尺寸在不断地等比例缩小。同时也会用到更加多孔的低k材料。工程师们还是在设法满足互连的可靠性规范。...
[期刊论文] 作者：Harld Peters,,
来源：中国企业家 年份：2018
世界不是黑白分明的,世界是网络的。世界上有无数的物流才能使国际贸易变成可能,UPS已经和阿里巴巴、京东,还有美国的亚马逊在合作了。而且UPS一定要传递这样的一个信息,...
[期刊论文] 作者：Laura Peters,,
来源：集成电路应用 年份：2006
虽然采用应力工程技术可以通过增强迁移率实现令人难以置信的性能增益．但也会引起器件的可靠性退化。尤其是还必须把负偏置温度不稳定性(NBTI)退化程度与要求实现的性能增...
[期刊论文] 作者：Laura Peters,,
来源：集成电路应用 年份：2007
闪存的等比例缩小很快就将遇到物理壁垒。目前正在研究的替代方案包括基于氮化物的结构．相变存储器、铁电RAM．磁性RAM和新的电阻翻转存储结构。...
[期刊论文] 作者：Laura Peters,,
来源：集成电路应用 年份：2007
当晶体管尺寸达到45nm以后,传统的等比例缩小方法很快就会碰壁。随着电流密度的增大,迁移率的提升成为保持晶体管性能的关键,因为电源电压被等比例缩小以降低芯片的动态...
[期刊论文] 作者：Laura Peters,,
来源：集成电路应用 年份：2006
IBM Systems and Technology Group的质量主管Timothy Collopy于今年三月在San Jose举办的的IEEE International Reliability Physics Symposium（IRPS）上发表了题为“市场预测...
[期刊论文] 作者：Laura Peters,,
来源：集成电路应用 年份：2008
由45纳米过渡到32纳米技术节点,除了可能在一些关键的材料方面发生改变,另一个主要的变化是在关键工艺层中采用双重成像光刻技术。何去何从,成本因素和产品需求将起到决定性...
[期刊论文] 作者：Gary Peters,
来源：哲学研究：英文版 年份：2013
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[期刊论文] 作者：Laura Peters,
来源：集成电路应用 年份：2007
虚拟插入。也叫“虚拟填充”．通常用于补偿CMP之后的芯片表面形貌起伏，这种起伏是版图内的图形密度变化所引起的。通常．晶圆代工厂使用物理验证工具来将这些非功能性的虚拟图形......
[期刊论文] 作者：Laura Peters,,
来源：集成电路应用 年份：2007
EDA供应商已经开始通过提供各种针对化学机械抛光（CMP）和光刻制程的产品来解决制程可变性问题。一项专门针对晶体管参数可变性的新技术已被开发出来．它使用TCAD来了解那些最终可......
[期刊论文] 作者：Laura Peters,,
来源：集成电路应用 年份：2009
为了实现22nm技术节点，工程师必须在许多方面做出重大决定，例如：是否要从平面化的CMOS器件结构转变为多栅结构；是否要使用不同的沟道材料；以及是否要用铜插入来代替钨插入。......
[期刊论文] 作者：Laura Peters,,
来源：集成电路应用 年份：2009
在比利时首都布鲁塞尔举行的IMEC技术论坛上，IMEC院士Marc Heyns展示了15nm及以下节点多种CMOS晶体管的可能性。“我们正处在新世纪创新的门槛上，”Heyns这样介绍，并补充说等比...
[期刊论文] 作者：Laura Peters,,
来源：集成电路应用 年份：2006
闪存器件中预氧化湿法清洗的作用很重要．因为虽然它们并不像逻辑栅的尺寸那样快速地缩小．但是他们比逻辑栅需要更低的泄漏性能．通常在更高的电压下工作。最近的基础研究采用了非......
[期刊论文] 作者：Laura Peters,,
来源：集成电路应用 年份：2006
TSMC刚推出了一种65nm可制造性设计（DFM）方案，它是一种柔性设计支持生态系统，采用可制造性统一数据格式，通过精选的EDA工具将DFM能力直接传递至设计人员的工作站。提出这个方案是......
[期刊论文] 作者：Laura Peters,,
来源：集成电路应用 年份：2006
造成铜电迁移（EM）的主要因素之一是铜线与叠层势垒介质之间的弱界面。为了改善该界面，已经开发了新的自对准CuSiN工艺。Crolles 2 Alliance和NEC Electronics的研究人员于几个月...
[期刊论文] 作者：Laura Peters,,
来源：集成电路应用 年份：2007
在今天的fab里，因为先进光刻技术中使用的光刻胶越来越薄，以及保持刻蚀选择性的需要，硬掩膜越来越司空见惯。Novellus Systems公司设计了一种专用于为前段应用提供有机物化学气...
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