中间反型区相关硕士博士期刊学术论文 - 搜论网

中间反型区相关论文

超深亚微米工艺下模拟IC仿真的MOSFET模型

对MOSFET器件特性、MOSFET建模方法和建模发展历程进行了回顾，分析了在模拟集成电路低功耗设计中比较流行的模型（BSIM3和EKV模型），对它......

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模拟IC MOSFET建模 BSIM3模型 EKV模型反型系数短沟道效应中间反型区 analog IC MOSFET modeling BSIM3 mod

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