BSIM3模型相关论文
采用Silvoca公司的UTMOST模型参数提取程序对BSIM3V3模型参数进行提取,得出了BSIM3V3模型参数随器件尺寸变化的规律,并将此方法应......
采用Ｓｉｌｖｏｃａ公司的ＵＴＭＯＳＴ模型参数提取程序对ＢＳＩＭ３Ｖ３模型参数进行提取，提出了ＢＳＩＭ３Ｖ３模型参数随器件尺寸变化的规律，并将此方法应用于清华大学微电子所工艺线１．０μｍ工......
对MOSFET器件特性、MOSFET建模方法和建模发展历程进行了回顾，重点分析了在模拟集成电路设计中较为流行的几种模型：BSIM3、EKV和SP20......
文章采用ＨＰ的ＩＣ－ＣＡＰ对亚微米ＭＯＳＦＥＴ模型参数进行提取，给出了器件结构，测试系统及提取结果，并对提取模型的精确性进行了分析。......
针对SPICE BSIM3模型在对大量应用于高压集成电路中的轻掺杂漏高压MOS（简称HV MOS）晶体管建模上的不足,提出了基于BSIM3的高压MOS晶......
深亚微米MOSFET须应用玻耳兹曼传输模型.本文建立了一个基于物理假定的解析解模型,其特点是可以加入经典模型BSIM3v3,并通过模拟程......
针对标准MOSFET的BSIM3和PsP模型在高压LDMOS建模上的不足，提出了基于PsP表面电势方程的改进高压LDMOS晶体管I—V模型。在研究过程......
本期高端人士介绍：张锡盛，清华大学微电子专业博士，师从中科院院士李志坚教授。美国加洲大学伯克利分校博士后，师从胡正明教授。研究方......
本文采用0.25微米工艺制备了CMOS器件和电路,通过对300K、77K和4K温度下器件和电路特性的测量,研究了工作温度降低对CMOS电路特性......
对MOSFET器件特性、MOSFET建模方法和建模发展历程进行了回顾，分析了在模拟集成电路低功耗设计中比较流行的模型（BSIM3和EKV模型），对它......
采用 Silvoca公司的 UTMOST模型参数提取程序对 BSIM3V3模型参数进行提取 ,得出了BSIM3V3模型参数随器件尺寸变化的规律 ,并将此方......
伴随着集成电路中的器件尺寸越来越小,集成规模不断增大,集成电路工序越复杂,对器件模型精度的要求也日趋增高。当今,一个精确的器......
