短沟道效应相关论文
动态随机存取存储器（DRAM）具有低延迟、高带宽的特点，应用于电子器件中的内存芯片。本文综述了DRAM芯片的现状、其面临的挑战和发展前......
自从全球进入信息化时代以来,随着电子科学与技术的不断发展成熟,第三代半导体材料逐渐展现出更加优秀的射频和大功率特性,成为半......
摩尔定律已经推动了半导体行业的显著进步。得益于较好的静电控制,鳍式场效应晶体管(Fin Field-Effect Transistor,FinFET)架构,作......
随着CMOS器件尺寸已经接近物理极限,短沟道效应严重阻碍了半导体器件的进一步发展。虽然FinFET器件已经证实能够有效地抑制短沟道......
针对CMOS器件随着技术节点的不断减小而产生的短沟道效应和漏电流较大等问题,设计了一种新型直肠形鳍式场效应晶体管(FinFET),并将......
在综合考虑短沟道效应和漏致势垒降低效应的基础上，通过求解泊松方程，建立了小尺寸Si基Ge沟道pMOSFET阈值电压模型，其模型计算值......
随着晶体管特征尺寸缩小至10 nm以下,传统Si基MOSFET面临诸多挑战,而新型沟道材料和器件结构将有望进一步提升器件性能.基于绝缘体......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
多年以来,沿着摩尔定律的途径,人们一直采用对金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)进行等比例微缩来增加器件速度的方法。然而在......
提出在SOI p-MOSFET中采用GeSi源／漏结构，以抑制短沟道效应．研究了在源、漏或源与漏同时采用GeSi材料对阈值电压漂移、漏致势垒降低(D......
通过数值方法求解泊松方程和薛定谔方程的自洽解,提出了考虑量子效应时不同于经典理论的阈值条件,并得出了精确的一维阈值电压模型......
通过分析设计,提出了一种新型结构的叠栅MOSFET,它的栅电容是由两个电容混联组成,所以它有较小的栅电容和显著的抑制短沟道效应的......
超薄体SOI器件能够有效抑制短沟道效应,业界认为在纳米器件时代它有可能取代传统体硅器件。但SOI器件的全局化埋氧层特性会使其产......
本文基于BSIM标准研究了现代深亚微米级MOSFET器件的建模和特征提取方法,着重在于短沟道效应方面,其中测试样品由MicronTM公司提供......
对一种新型半绝缘SOIMOS器件的阈值电压进行建模,该器件采用源漏注氧OISD技术,具有优良的自加热效应抑制能力和耐压特性.由于沟道......
以新型的有机聚合物半导体(DPPTTT(poly(3,6-di(2-thien-5-yl)-2,5-di(2-octyldodecyl)-pyrrolo[3,4-c]pyrrole-1,4-dione)thieno[......
当MOSFET器件的栅长缩小到纳米尺度以后，金属源／漏（S／D）结构具有一系列的优点：原子级突变结能够抑制短沟道效应（SCE），低S／D串联电阻和接触电......
实验并研究了采用金属栅工艺的全耗尽SOI MOS器件。采用LDD结构，以减小热载流子效应，防止漏击穿；采用突起的源漏区，以增加源漏区的厚度......
提出了一种非对称双栅应变硅HALO掺杂沟道金属氧化物半导体场效应管结构.该器件前栅和背栅由两种不同功函数的金属构成,沟道为应变......
半导体器件的高速化、集成化要求其特征尺寸不断缩小，不可避免地导致短沟道效应，从而使得器件性能退化。提出了一种非平面沟道晶体管......
针对深亚微米围栅金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）的短沟道效应随沟道长度减小而愈加明显，以及移动电荷在器件强反型区对表面势影响......
短沟道效应是MOS器件特征尺寸进入Sub-100nm后必须面对的关键挑战之一。Halo结构能够有效地抑制短沟道效应，合理的Halo区掺杂分布会......
通过求解泊松方程，综合考虑短沟道效应和漏致势垒降低效应，建立了小尺寸SiGe沟道pMOSFET阈值电压模型，模拟结果和实验数据吻合良好。......
提出了一种考虑量子效应的短沟道沟道表面电势数值模型,并在此基础上分析了源漏偏压对表面势分布的影响.计算结果和二维量子力学数......
本文研究了具有薄隐埋层的超薄体SOI器件,讨论了超薄体SOI器件以及减小隐埋层有利于器件短沟道特性的改善。在此基础上通过使用med......
从Si纳米线场效应晶体管（SiNWFET）的结构原理、Si纳米线的制作工艺以及器件电学性能的改善措施三个方面介绍了SiNWFET的研究进展。通......
基于MOS器件的短沟道效应和漏致势垒降低效应理论，通过求解泊松方程，建立了表面Ge沟道pMOSFET的阚值电压模型．基于该模型对表面Ge沟道......
采用SIVALCO软件对槽栅与平面器件进行了仿真对比分析，结果表明槽栅器件能够有效地抑制短沟道及热载流子效应，而拐角效应是槽栅器件......
提出了一种全新的器件结构——双栅双应变沟道全耗尽SOIMOSFETs,模拟了沟道长度为25nm时器件的电学特性.工作在单栅模式下,应变沟......
基于SOI技术对器件特性的良好改善和槽栅MOS器件在深亚微米领域抑制短沟道效应和抗热载流子效应方面的显著优势,对SOI槽栅CMOS器件......
随着CMOS工艺技术的飞速发展,传统MOSFET器件的结构尺寸持续微缩,各种短沟道相关效应对器件性能的影响越来越严峻。在CMOS工艺节点......
从自洽求解二维泊松方程和薛定谔方程出发，研究了纵、横向电场作用下GaNHFET沟道中的电子态和夹断特性。建立了不同异质结构和电场......
采用分解电势的方法求解二维泊松方程,建立了考虑电子准费米势的短沟道双栅MOSFET的二维表面势模型,并在其基础上导出了阈值电压、......
随着集成电路工艺步入22 nm工艺节点,传统的硅基金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFETs)所产生的短沟道效应及低的击穿电压使其不......
讨论了槽栅结构nMOSFET的掺杂浓度对器件特性的影响,并通过二维器件仿真程序PISCES-Ⅱ进行了计算模拟比较.结果表明,提高衬底掺杂......
自对准硅化物通常用于降低多晶硅栅的薄层电阻（Rs）和硅源／漏（S／D）区域的接触电阻。对于90nm以下的器件，S／D区域还要求是重掺杂的超浅结．以抑......
晶体管特征尺寸的不断缩小推动着半导体技术的快速发展,将人类带入了信息时代。但是随着栅极长度的减小,栅极电压对于晶体管沟道的......
GaN HEMT器件以其高频大功率等特点成为下一代微波功率器件的绝佳选择,在军事和民用领域均得到了广泛的应用,目前,毫米波频段GaN基......
随着CMOS 技术进入纳米工艺, 随机栅长变化成为影响集成电路性能和成品率最重要因素之一. 文中分析并验证了纳米MOS 器件随机栅长......
基于Synopsys SWB仿真平台,研究了高K介质金属栅器件中栅功函数变化在N/PMOSFET器件的影响；模拟和分析了金属栅功函数在Lgate=32 nm......
SOI技术和槽栅MOS新器件结构是在改善器件特性方面的两大突破,SOI槽栅MOS器件结构能够弥补体硅槽栅MOS器件在驱动能力和亚阈值特性......
2001年全球半导体集成电路大幅衰退，比2000年下降了33％，营收为1390亿美元。这种大衰退比人们预料的下降22％多出50％。现在人们在冷静中注......
在后摩尔时代,大规模半导体集成电路对功耗和集成密度的要求使得晶体管器件的开发需要在"材料、制程、结构"三个维度同步推进。文......
对MOSFET器件特性、MOSFET建模方法和建模发展历程进行了回顾，分析了在模拟集成电路低功耗设计中比较流行的模型（BSIM3和EKV模型），对它......
随着CMOS技术发展到22nm技术节点以下,体硅平面器件达到等比例缩小的极限。全耗尽超薄绝缘体上硅CMOS(FDSOI)技术具有优秀的短沟道......
Si MOSFET作为大规模集成电路的基础,沟道长度是决定其运行速度和集成度的重要参数。随着Si MOSFET器件尺寸不断缩小,短沟道效应(......
组成MOS大规模集成电路的MOS器件向着微型化方向发展。但是器件尺寸缩小之后,出现了短沟道效应。为了避免短沟道效应的发生,自73年......
