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适用于位交叉布局的低电压SRAM单元
提出一种9管单端SRAM单元结构,该种SRAM单元采用读写分离方式,具有较高的保持稳定性和读稳定性。该单元采用新的写操作方式,使由其......
期刊
SRAM单元
低电压
静态噪声容限
位交叉结构
SRAM cell low voltage SNM bit-interleaved structure
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