SRAM单元相关论文
基于存储设备在极低温环境及辐照环境下的应用,论文采用TCAD软件仿真与试验相结合的方式,研究MOS器件电特性在极低温环境下发生变......
SRAM作为巨规模集成电路以及微处理器中的高速缓冲存储器,占据了大量芯片面积,一般采用最小线宽以限制其面积.选择它来研究特征尺......
随着MOS制造工艺的不断进步,晶体管的尺寸变得越来越小,SRAM存储单元电路对制造工艺的偏差越来越敏感,其性能也就越来越不稳定。由......
集成电路制造工艺缩减到40nm以下之后，静态功耗问题已经极大地影响了集成电路的设计思想。本文详细论述了MOS管中的泄漏电流产......
集成电路工艺尺寸减小至纳米级时,尺寸效应的出现会导致SRAM读写可靠性下降.针对传统六管SRAM单元,采用蝶形曲线法对尺寸效应进行......
阐述如何对FLEX 10K器件进行编程，介绍了3种方案：采用构造用EPROM的主动串行方式，采用微处理器的被动串行方式和被动并行方式．......
阐述如何对FLEX 10K器件进行构造，具体介绍了三种方式：采用构造专用串行EPROM的主动串行构造方式；采用微处理器的被动串行构造方式和......
In advanced technologies, single event upset reversal(SEUR) due to charge sharing can make the upset state of SRAM cells......
随着工艺尺寸及处理器频率的提高，Cache的功耗已经成为处理器功耗的重要来源，数据Cache的亚阈值漏电流功耗在总功耗中的比重也在上升......
作为微电子工业中发展最迅速的一个领域 ,现场可编程门阵列 (FPGA)的内部结构设计越来越受到业内人士的关注。为此针对目前普遍采......
集成电路工艺已经发展到纳米量级。在纳米级工艺下，芯片集成度不断提高，电压不断降低，软错误问题已经开始对地面的集成电路产生影响。......
随着集成电路工艺的发展,传统平面CMOS器件随着尺寸的缩小,短沟道效应、源漏电荷共享和亚阈值特性衰退等等对器件的电学特性影响越......
随着集成电路制造工艺的发展,器件特征尺寸不断减小,器件间距也随之减小。当辐射环境中的高能粒子轰击半导体器件灵敏区域时,会在......
