静态噪声容限相关论文
存算一体（Compute In-Memory,CIM）是解决传统冯诺依曼计算机架构性能与功耗瓶颈的一种有效方法,然而,存算一体在降低传统冯诺依曼架......
随着微电子技术水平的不断提高，SRAM呈现出更高集成度、更快速及更低功耗的发展趋势。近年来，集成SRAM的各种系统芯片已屡见不鲜，它们......
为了解决深亚微米及纳米尺寸下SRAM设计在可靠性及其他性能方面所面临的挑战,在分析不同存储单元的基础上,提出了一种优化的具有高......
集成电路工艺尺寸减小至纳米级时,尺寸效应的出现会导致SRAM读写可靠性下降.针对传统六管SRAM单元,采用蝶形曲线法对尺寸效应进行......
本文拟设计一种工作在200mv电源电压下的大容量7T亚阈值域SRAM位单元。双端写入和单端读取保证了不损耗可写性的情况下,SRAM位单元......
比较分析了8管SRAM单元在不同双阈值组合情形下的性能,为不同需求的设计者提供了在静态噪声容限(SNM)、漏功耗和延迟之间做出合理......
采用基于物理模型的α指数MOSFET模型,对超深亚微米(VDSM: Very Deep Submicron)SRAM存储单元的静态噪声容限(SNM:Static Noise Ma......
半导体产业一直在飞速地发展,电路设计、晶体管和制备工艺等层面都取得了很大进步。当前集成电路产业界广泛应用的核心器件是鱼鳍......
随着MOS制造工艺的不断发展,晶体管的特征尺寸越来越小,SRAM存储单元对制造工艺的要求也越来越高,功耗问题也越来越突出,该文设计......
文章对深亚微米条件下的SRAM存储单元的静态噪声容限进行了详细的理论分析。并在此基础上分析考虑了各种因素对静态噪声容限的影响......
文章首先分析了静态随机存储器（SRAM）6T存储单元结构的基本工作原理，总结了6T存储单元的优缺点并介绍了存储单元的重要参数静态噪声容......
首先分析了配置SRAM在SRAM型FPGA中的作用,介绍了配置SRAM的单元结构及在设计中的要点。设计实现了一种基于65 nm工艺的SRAM结构,......
本文设计了一种8管SRAM单元和相应的读写辅助电路，解决了传统6管SRAM单元低压工作存在的读写稳定性问题，实现了具有超动态电压调整（U-......
随着集成电路工艺节点的持续进步,器件尺寸不断的缩小,以硅为基础的传统半导体器件的性能已经开始难以满足人们的需求。更小的加工......
将电源电压降低到晶体管阈值电压附近可以有效提高数字电路的能效,而近阈值标准单元库是近阈值数字电路设计的基础。通过分析逻辑......
随着集成电路设计水平的提高，对存储器高速、低功耗的需求也越来越高。因此，本文在分析virtexII型FPGA的体系结构的基础上，采用SMIC0.......
本文提出了一种低位线摆幅（LVBS）的低功耗SRAM结构。这种SRAM采用电荷分享方法降低线电压幅值，在写操作时使得位线电压摆幅减少了50％，从......
采用基于物理的α指数MOSFET模型与低功耗传输域MOSFET模型，推导了新的超深亚微米无负载四管与六管SRAM存储单元静态噪声容限的解析......
提出一种新型的6管SRAM单元结构,该结构采用读/写分开技术,从而很大程度上解决了噪声容限的问题,并且该结构在数据保持状态下,采用......
