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碳化硅（Si C）器件相比硅基器件具有更高的开关速度,可以提高电力电子变换器的开关频率,从而降低系统无源器件的体积实现高功率密度。......
碳化硅（Si C）具有禁带宽、临界击穿场强大、热导率高、高压、高温、高频等优点。应用于硅基器件的传统封装方式寄生电感参数较大，难以......
针对现有商用SiC功率模块寄生电感大这一问题，提出一种基于直接覆铜陶瓷基板（DBC）＋柔性印刷电路板（FPC）的新型混合封装结构，并设计了一种......
