采用磁控溅射方法在6H-SiC单晶片上制备了锑（Sb）掺杂的氧化锌（ZnO）薄膜.利用X射线衍射（XRD）和X射线光电子能谱（XPS）对样品的结晶质量和成分......

对张应变GaInP量子阱激光器材料结构开展变温光致发光特性的研究,实验中激光器有源区为9nmGa0.575In0.425P量子阱结构,采用N离子注......

采用磁控溅射技术在Si基片上生长了Ag掺杂的ZnO薄膜,XRD测试表明所得薄膜结晶性质良好,未出现Ag的分相。未掺杂和Ag掺杂氧化锌薄膜......