张应变相关论文
Ge的直接带跃迁发光性质可以通过n型掺杂和张应变得到增强。本文从理论上计算了应变作用下Ge的能带结构以及载流子在导带中的分布，......
给出了具有二三个量子阱的Ｉｎ１－ｘＧａｘＡｓｙＰ１－ｙ／ＩｎＰ张应变量子阱材料的光荧光谱及ｘ射线双晶衍射摇摆曲线，指出了光荧光峰为量子阱中导带子带和价带子带间本征......
研制了在SOI衬底上工作于近红外波段的垂直入射GePIN光电探测器。采用低温Ge缓冲层技术,在超高真空化学气相淀积系统(UHV/CVD)上生......
采用超高真空化学气相沉积(UHV-CVD)系统,用低温Ge缓冲层技术在Si衬底上外延了张应变Ge薄膜。扫描电镜(TEM)图表明Si基外延Ge薄膜......
目的 研究血管和血管平滑肌细胞(vascular smooth muscle cells,VSMCs)磷酸化热休克蛋白27(heat shock protein 27,HSP27)在不同频......
目的 探讨力学刺激对巨噬细胞极性的影响.方法 使用不同幅度、时间张应变刺激RAW264.7细胞,CCK-8试剂检测细胞活性以明确使用的力......
我们通过溶胶－凝胶法在Pt/Ti/SiO2/Si晶片上制备了SrTiO3/(Co0.9Zn0.1)Fe2O4 (STO/CZFO)层状复合薄膜.XRD数据表明,STO层与CZFO......
生长在驰豫SiGe层上的Si产生张应变，使载流子的迁移率显著提高，因此应变Si NMOSTET可以得到非常好的性能。本文在讨论分析了应变......
将4英寸SOI片在自制的弧形弯曲台上进行机械弯曲，弯曲的硅片在250℃下退火20h，得到了单轴张应变的SOI样品。弯曲半径为0.75m的应......
本文应用FX-4000T 细胞应变加载系统，对大鼠VSMC施加10％应变，以未加载张应变的VSMC为对照组。采用Real-time RT-PCR、Western blot、......
目的:对咀嚼运动各阶段中平衡与非平衡时上颌总义齿基托的张应变与压应变进行讲究.对数据处理分析方法进行改进,对基托折断原因进......
采用三元InGaAs体材料为有源区,通过直接在InGaAs体材料中引入020%张应变来加强TM模的增益,研制了一种适合于作波长变换器的偏振不......
简要总结了新疆十几年来，利用钻孔应变资料进行地震预报的实践。指出用钻孔应变资料预报地震是可能的，尤其是短临预报更是行之有效。......
在新疆钻孔应变 18年的观测期间 ,发生了 6级以上强震 17组 (次 ) ,其中 7级以上地震 5次 ,8级以上地震 1次。钻孔应变资料在 6 4%......
背景：国内外已经研制出多种体外细胞张应力加载装置,主要拉伸方法有矩形基底拉伸法、圆形基底变形法和4点弯曲梁加载法3种,其中圆形......
１９８５年以来，在新疆进行了钻孔应变连续观测，已积累了大量可贵资料，曾多次记录到地震前的应变异常变化。将这些资料用之于地震预测，取得了一......
给出了具有二三个量是的Ｉｎ１－ｘＧａｘＡｓｙＰ１－ｙ／ＩｎＰ张应变量子阱材料的光荧光谱及ｘ射线双晶衍射摇摆曲线，指出了荧光峰为量子阱中导带子带和阶带子带间本征复合......
为研究不同频率张应变对血管平滑肌细胞(VSMC)细胞外基质(ECM)的影响,探讨不同频率张应变与血管重建(remodeling)的关系,本文应用F......
提出p型张应变Si/SiGe量子阱红外探测器（QWIP）结构,应用k.p方法计算应变Si/SiGe量子阱价带能带结构和应变SiGe合金空穴有效质量.结果......
设计并制备了一款短波长红光640nm的大功率半导体激光器。利用金属有机化学气相沉积技术生长了AlGaInP材料的激光器外延层,其中,限......
近年来,随着微电子工艺尺寸向纳米级前进,器件线宽的进一步减小,电互连所固有的局限性使芯片的发热量迅速增加,引起串扰、噪声、功......
对张应变GaInP量子阱激光器材料结构开展变温光致发光特性的研究,实验中激光器有源区为9nmGa0.575In0.425P量子阱结构,采用N离子注......
张应变GaAs（1-x）Px量子阱是高性能大功率半导体激光器的核心有源区,基于能带结构分析优化其结构参数具有重要的应用指导意义.首先,基......
目的：对咀嚼运动各阶段中平衡He与非平衡He时上颌总义齿基托的张应变与压应变进行研究，对数据处理分析方法进行改进，对基托折断原因进......
虽然国内的红光半导体激光器早已实现商品化,但研制的红光激光器波长多集中在大于655 nm的红光波段,主要面向数据存储、娱乐指示、......
越来越多的现代都市人对炒股票产生了浓厚的兴趣,认为它是一种绝好的生财之道,因而纷纷投入股海。然而,不少人对炒股票可能导致的......
以Si衬底上外延Ge薄膜为吸收区,研究了Si基Ge光电探测器的材料生长与器件制作工艺,并对材料晶体质量和器件性能进行表征分析。Ge薄......
基于体锗的能带结构,从理论上计算分析了张应变和N型掺杂对锗能带结构的调节。张应变使价带和导带的能级分裂、偏移,N型掺杂使费米......
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锗锡（Ge Sn）合金的禁带宽度在00.66 e V内连续可调,并且当Sn组分大于6.7%时可转变为直接带隙半导体,理论上利用Ge Sn合金可以将硅（Si）......
在正常生理情况下,胃肠平滑肌经常受到机械牵张(mechanical stretch),即张应变刺激,如食物进入胃、食糜进入小肠等情况下胃肠壁受......
设计了808 nm高功率GaAsP/InGaAlP/GaAs半导体激光器,采用无铝张应变量子阱和非对称宽波导结构,通过优化金属有机物气相沉积(LP-MO......
闪存的等比例缩小很快就将遇到物理壁垒。目前正在研究的替代方案包括基于氮化物的结构．相变存储器、铁电RAM．磁性RAM和新的电阻翻转......
试验在拉弯矫直理论的基础上,利用有限元显式动力学软件ANSYS/LS-DYNA的拉弯矫直模拟结果,建立了压弯量与弯曲曲率之间的关系曲线,......
<正>软骨基质的代谢可以显著地影响关节软骨的生物力学功能。研究牵张应力对软骨基质代谢的影响不仅有利于阐明生物力学因素在骨性......
血管重建（remodeling）是心血管疾病共同的发病基础和基本的病理过程，力学因素在其中起重要调控作用。血管平滑肌细胞（vascular smooth ......
