在体单晶ZnO的Zn面和O面通过直流溅射金属薄膜,并采用剥离电极成型方法制备梳妆电极,从而制备出体晶ZnO紫外光导探测器。对Pt/ZnO/......

采用射频溅射工艺，在石英基片上制备了未掺和掺Al浓度分别为5％、10％、15％及20％（原子分数）的氧化锌（AZO）薄膜。研究了薄膜的结构和光学性质，结......

采用脉冲激光沉积（PLD）法在单晶Si（100）衬底上生长ZnO薄膜，以X射线衍射（XRD）和场发射扫描电镜（SEM）等手段分析了所得ZnO薄膜的晶体结构和微......

ZnO是一种新型的直接带隙宽禁带半导体材料,具有六方纤锌矿结构,较高的激子束缚能(60 meV),较低的电子诱生缺陷和阈值电压低等优点......

以Si(111)衬底,用脉冲激光沉积(PLD)法制得C轴高度择优取向的ZnO薄膜,并利用剥离技术制备了ZnO光导型紫外探测器.Al叉指状电极是由......